晶片离子注入系统[实用新型专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：晶片离子注入系统专利类型：实用新型专利发明人：刘玲

申请号：CN201320050817.0申请日：20130130公开号：CN2030558U公开日：20130710

摘要：一种晶片离子注入系统。用于安装在真空处理室移动设备处理压板的被摄体晶片，其特征在于，包括：第一和第二负载锁定室，各自具有一个装载锁定基座，相邻设置在真空处理室通中，一个单一的通道开口设置在真空处理室和真空中间腔室之间，第一和第二晶圆保持臂由第一和第二旋转轴安装在第一和第二负载锁定基座中构成压板装置，负载锁定室以及控制器被配置在与第一和第二晶圆保持臂的垂直方向上，并在相同的转弯半径与第一和第二旋转轴关联，构成为正向或反向转动的第一和第二晶圆保持臂，保持臂使第一和第二晶圆通过单个通道开口实现彼此在不同的层次上旋转，更符合市场需求，使用前景更加广阔。

申请人：刘玲

地址：518000 广东省深圳市福田区海滨广场华轩大厦8H

国籍：CN

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