一种采用电压驱动的BJT[发明专利]

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专利名称：一种采用电压驱动的BJT专利类型：发明专利发明人：唐红祥

申请号：CN202010512331.9申请日：20200608公开号：CN111627994A公开日：20200904

摘要：本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种采用电压驱动的BJT，包括N型硅片，N型硅片底部设有集电极，N型硅片顶部设有第一P阱，第一P阱内设有第一N扩散区，N型硅片顶部设有第二P阱，第二P阱内设有第二N扩散区，N型硅片顶部连接绝缘层，绝缘层上设有输出电极，输出电极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接，绝缘层内设有控制电极，控制电极接收驱动集电极和输出电极导通的控制信号A，绝缘层在第二P阱对应处设有发射极和基极，发射极穿过绝缘层与第二N扩散区连接，输出电极与基极电连接，基极穿过绝缘层与第二P阱电连接，本发明将BJT的导通控制从电流驱动变为电压驱动，不用再额外设计大电流驱动电路，减少了BJT的应用成本。

申请人：无锡光磊电子科技有限公司

地址：214000 江苏省无锡市清源路20号大学科技园立业楼E栋207室

国籍：CN

代理机构：无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)

代理人：曹慧萍

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