专利名称：存储阵列专利类型：实用新型专利发明人：曺奎锡
申请号：CN201922036688.X申请日：20191122公开号：CN210640251U公开日：20200529
摘要：本公开提供一种存储阵列。存储阵列包括：呈m行n列排列的mn/2个单晶硅柱，所述单晶硅柱位于奇数行偶数列和偶数行奇数列，或者位于奇数行奇数列和偶数行偶数列；n/2列平行排列的位线，每条所述位线连接相邻两列单晶硅柱的下部；m行平行排列的字线，每条所述字线包裹一行所述单晶硅柱的中部；mn/2个电容，所述电容的下极板分别与所述mn/2个单晶硅柱的上部电连接。本公开实施例可以增加存储阵列中存储单元的密度，或者增大存储单元的电容。
申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：北京律智知识产权代理有限公司
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