专利名称：一种具有MOS控制空穴通路的IGBT器件专利类型：发明专利
发明人：李泽宏,彭鑫,赵一尚,任敏,张波申请号：CN201910062000.7申请日：20190123公开号：CN109768080A公开日：20190517
摘要：本发明提供一种具有MOS控制空穴通路的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域，本发明在传统IGBT器件的P+浮空pbody区内引入由栅介质层、MOS控制栅电极和P‑型MOS沟道区形成的MOS控制栅结构，MOS区等效为受到栅压控制作用的开关；在器件正向导通时使得pbody区电位浮空，实现空穴存储，降低了器件的饱和导通压降；在器件关断和短路条件下，提供了空穴的泄放通路，降低密勒电容，实现了低关断损耗和更稳固的短路能力。
申请人：电子科技大学
地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
国籍：CN
代理机构：成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
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