高电压场效应晶体管[发明专利]

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专利名称：高电压场效应晶体管专利类型：发明专利

发明人：H·W·田,R·周,B·舒-金,G·杜威,J·卡瓦列罗斯,M·V·梅

茨,N·慕克吉,R·皮拉里塞泰,M·拉多萨夫列维奇

申请号：CN201710000739.6申请日：20111219公开号：CN107039515A公开日：20170811

摘要：本发明描述了适合于高电压和高频率操作的晶体管，特别是高电压场效应晶体管。在衬底上垂直地或水平地设置纳米线。所述纳米线的纵向长度被限定到第一半导体材料的沟道区中，源极区与所述沟道区的第一端电耦合，漏极区与所述沟道区的第二端电耦合，并且非本征漏极区设置于所述沟道区与漏极区之间。所述非本征漏极区的带隙比所述第一半导体的带隙宽。包括栅极导体和栅极绝缘体的栅极堆叠体同轴地完全环绕所述沟道区，漏极和源极接触部类似地也同轴地完全环绕所述漏极和源极区。

申请人：英特尔公司

地址：美国加利福尼亚

国籍：US

代理机构：永新专利商标代理有限公司

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