一种单元栅蚀刻方法[发明专利]

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专利名称：一种单元栅蚀刻方法专利类型：发明专利发明人：陶志波,陈伏宏申请号：CN201010002835.2申请日：20100118公开号：CN102129974A公开日：20110720

摘要：本发明公开了一种单元栅蚀刻方法，属于半导造技术领域。所述方法，包括：步骤(1)：控制单元栅上多晶硅1结构与多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的高度同步，同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的多晶硅1层和所述多晶硅1结构；步骤(2)：同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的氧化硅-氮化硅-氧化硅层和所述多晶硅1结构；步骤(3)：同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的多晶硅0层和所述多晶硅1结构。本发明的方法能够避免多晶硅残留，避免形成多晶硅桥，提高产品良率。

申请人：和舰科技(苏州)有限公司

地址：215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号

国籍：CN

代理机构：北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：王光辉

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