专利名称：射频LDMOS器件及工艺方法专利类型：发明专利
发明人：慈朋亮,石晶,胡君,李娟娟,钱文生,刘冬华申请号：CN201310670544.4申请日：20131210公开号：CN104701375A公开日：20150610
摘要：本发明公开了一种射频LDMOS器件，在P型衬底上的P型外延中具有体区及轻掺杂漂移区，外延上具有多晶硅栅极及法拉第环结构。所述的P型外延中，体区的下方及轻掺杂漂移区的下方具有P阱，体区下方的P阱和轻掺杂漂移区下方的P阱为一次注入形成但并不连接形成整体。本发明还公开了所述的射频LDMOS器件的工艺方法，包含P阱的注入、多晶硅栅极形成、体区及源漏区注入、钨塞及法拉第环形成等步骤。
申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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