专利名称：基于各向异性蚀刻制造结构的方法和具有蚀刻掩模
的硅基片
专利类型：发明专利
发明人：野口薰,堀田薰央,虎岛和敏,濑户本丰申请号：CN200810188516.8申请日：20081219公开号：CN101462692A公开日：20090624
摘要：提供一种基于各向异性蚀刻制造结构的方法，包括：用于在单晶硅基片上形成基础蚀刻掩模和校正蚀刻掩模的掩模形成步骤，所述基础蚀刻掩模对应于目标形状，所述校正蚀刻掩模具有连接到所述基础蚀刻掩模的接合部；以及用于通过基于各向异性蚀刻方法蚀刻所述硅基片而形成所述目标形状的目标形状形成步骤；其中，在所述掩模形成步骤中，至少在所述校正蚀刻掩模的接合部的一部分中形成低强度部分，在所述低强度部分中机械强度局部降低。还提供一种具有蚀刻掩模的硅基片。
申请人：佳能株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：柳爱国
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容