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基于FPGA的PSRAM存储器初始化方法、装置、设备及介质[发明专利]

来源：小侦探旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：基于FPGA的PSRAM存储器初始化方法、装置、

设备及介质

专利类型：发明专利

发明人：汤博先,杜辉,韩志伟,刘烈,刘建华,杜金凤申请号：CN201911125973.7申请日：20191118公开号：CN111009271A公开日：20200414

摘要：本发明公开了一种基于FPGA的PSRAM存储器初始化方法，包括：在对PSRAM存储器执行读校准时，通过FPGA模块向所述PSRAM存储器写入待校验数据；获取FPGA模块中输入输出延时可调电路的延时参数集；遍历所述延时参数集中的每一个延时参数，按照所述延时参数执行延时操作，然后读取所述PSRAM存储器中的待校验数据，若所读取的待校验数据与所写入的待校验数据相同时，将所述延时参数标记为候选值；从标记为候选值的所述延时参数中选择最优延时参数，写入所述FPGA模块中的输入输出延时可调电路。本发明解决了现有PSRAM存储器的相位偏差时间大、工作状态不稳定的问题。

申请人：广东高云半导体科技股份有限公司

地址：510000 广东省广州市黄埔区科学大道243号1001房

国籍：CN

代理机构：深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙)

代理人：詹建新

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