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Technische Information / technical informationIGBT-ModuleIGBT-ModulesFF1200R12KE3vorläufige Datenpreliminary dataHöchstzulässige Werte / maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / electrical propertiesKollektor Emitter Sperrspannungcollector emitter voltageKollektor DauergleichstromDC collector currentPeriodischer Kollektor Spitzenstromrepetitive peak collector currentGesamt Verlustleistungtotal power dissipationGate Emitter Spitzenspannunggate emitter peak voltageDauergleichstromDC forward currentPeriodischer Spitzenstromrepetitive peak forward currentGrenzlastintegralI²t valueIsolations Prüfspannunginsulation test voltagetp= 1msTvj= 25°CTc= 70°CTc= 25°Ctp= 1ms, Tc= 80°CVCESIC, nomICICRM1200120016002400VAAATc= 25°C; TransistorPtot5kWVGES +/- 20VIF1200AIFRM2400AVR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°CI²t300k A²sRMS, f= 50Hz, t= 1min.VISOL2,5kVCharakteristische Werte / characteristic valuesTransistor Wechselrichter / transistor inverterKollektor Emitter Sättigungsspannungcollector emitter satration voltageGate Schwellenspannunggate threshold voltageGateladunggate chargeEingangskapazitätinput capacitanceRückwirkungskapazitätreverse transfer capacitanceKollektor Emitter Reststromcollector emitter cut off currentGate Emitter Reststromgate emitter leakage currentIC= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= 48mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C, VCEsatmin. - - 5typ.1,725,8max.2,15t.b.d.6,5VVVVGE(th)VGE= -15V...+15V; VCE=...VQG - 11,5 - µCf= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0VCies - 86 - nFf= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0VCres - 4 - nFVGE= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 1200VICES - - 5mAVCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°CIGES - - 400nAprepared by: MOD-D2; Mark Münzerapproved: SM TM; Christoph Lübkedate of publication: 2002-07-30revision: 2.01 (8)

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Technische Information / technical informationIGBT-ModuleIGBT-ModulesFF1200R12KE3vorläufige Datenpreliminary dataCharakteristische Werte / characteristic valuesTransistor Wechselrichter / transistor inverterIC= 1200A, VCC= 600VEinschaltverzögerungszeit (ind. Last)turn on delay time (inductive load)VGE=±15V, RGon=2,4W, Tvj=25°CVGE=±15V, RGon=2,4W, Tvj= 125°Cmin.td,ontyp.max. - - 0,600,66 - - µsµsIC= 1200A, VCC= 600VAnstiegszeit (induktive Last)rise time (inductive load)VGE=±15V, RGon=2,4W, Tvj=25°CVGE=±15V, RGon=2,4W, Tvj= 125°Ctr - - 0,230,22 - - µsµsIC= 1200A, VCC= 600VAbschaltverzögerungszeit (ind. Last)turn off delay time (inductive load)VGE=±15V, RGoff=0,62W, Tvj=25°CVGE=±15V, RGoff=0,62W,Tvj= 125°Ctd,off - - 0,820,96 - - µsµsIC= 1200A, VCC= 600VFallzeit (induktive Last)fall time (inductive load)Einschaltverlustenergie pro Pulsturn on energy loss per pulseAusschaltverlustenergie pro Pulsturn off energy loss per pulseKurzschlussverhaltenSC dataModulindiktivitätstray inductance moduleLeitungswiderstand, Anschluss-Chiplead resistance, terminal-chipTc= 25°CVGE=±15V, RGoff=0,62W, Tvj=25°CVGE=±15V, RGoff=0,62W,Tvj= 125°Ctf - - 0,150,18245 - - - µsµsmJIC= 1200A, VCC= 600V, Ls= 60nHVGE=±15V, RGon=2,4W, Tvj= 125°CEon - IC= 1200A, VCC= 600V, Ls= 60nHVGE=±15V, RGoff=0,62W, Tvj= 125°CEoff - 190 - mJtP £ 10µs, VGE £ 15V, TVj £ 125°CVCC= 900V, VCEmax= VCES - LsCE · çdi/dtç ISC - 4800 - ALsCERCC´/EE´ - 20 - nH - 0,18 - mWCharakteristische Werte / characteristic valuesDiode Wechselrichter / diode inverterDurchlassspannungforward voltageRückstromspitzepeak reverse recovery currentIF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25°CIF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125°CIF=IC,nom, -diF/dt= 00A/µsVR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°CVR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°CSperrverzögerungsladungrecoverred chargeIF=IC,nom, -diF/dt= 00A/µsVR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°CVR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°CAusschaltenergie pro Pulsreverse recovery energyIF=IC,nom, -diF/dt= 00A/µsVR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°CVR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°CErec - - 1835 - - mJmJQr - - 57135 - - µCµCIRM - - 340530 - - AAVF - - 2,222,8 - VV2 (8)

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Technische Information / technical informationIGBT-ModuleIGBT-ModulesFF1200R12KE3vorläufige Datenpreliminary dataThermische Eigenschaften / thermal propertiesmin.Innerer Wärmewiderstandthermal resistance, junction to caseTransistor, DC, pro Modul / per module Transistor, DC, pro Zweig / per armDiode/Diode, DC, pro Modul / per moduleDiode/Diode, DC, pro Zweig / per armÜbergangs Wärmewiderstandthermal resistance, case to heatsinkHöchstzulässige Sperrschichttemp.maximum junction temperatureBetriebstemperaturoperation temperatureLagertemperaturstorage temperaturepro Modul / per modulepro Zweig/ per arm;lPaste/lgrease =1W/m*KRthCKRthJC-------typ.----0,0060,012-max.0,0130,0250,0210,042--150K/WK/WK/WK/WK/WK/W°CTvj maxTvj op-40-125°CTstg-40-125°CMechanische Eigenschaften / mechanical propertiesGehäuse, siehe Anlagecase, see appendixInnere Isolationinternal insulationKriechstreckecreepage distance LuftstreckeclearanceCTIcomperative tracking indexAnzugsdrehmoment, mech. Befestigungmounting torqueAnzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsseterminal connection torqueSchraube / screw M5M4,25Al2O317mm10mm>400-5,75NmAnschlüsse / terminal M4M1,7-2,3NmAnschlüsse / terminal M8GewichtweightM8-10NmG1500gMit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes.3 (8)

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Technische Information / technical informationIGBT-ModuleIGBT-ModulesFF1200R12KE3vorläufige Datenpreliminary dataAusgangskennlinie (typisch)output characteristic (typical)2400210018001500IC [A]120090060030000,00,51,01,5VCE [V]2,0Tvj = 25°CTvj = 125°CIC= f(VCE)VGE= 15V2,53,03,5Ausgangskennlinienfeld (typisch)output characteristic (typical)2400210018001500IC [A]120090060030000,00,51,01,52,02,5VCE [V]3,0Vge=19VVge=17VVge=15VVge=13VVge=11VVge=9VIC= f(VCE)Tvj= 125°C3,,04,55,04 (8)

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Technische Information / technical informationIGBT-ModuleIGBT-ModulesFF1200R12KE3vorläufige Datenpreliminary dataÜbertragungscharakteristik (typisch)transfer characteristic (typical)24002200200018001600IC [A]1400120010008006004002000567VGE [V]10Tvj=25°CTvj=125°CIC= f(VGE)VCE= 20V111213Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)forward caracteristic of inverse diode (typical)2400210018001500IF [A]12009006003000Tvj = 25°CTvj = 125°CIF= f(VF)0,00,20,40,60,81,01,21,41,61,82,02,22,42,62,83,0VF [V]5 (8)

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Technische Information / technical informationIGBT-ModuleIGBT-ModulesFF1200R12KE3vorläufige Datenpreliminary dataSchaltverluste (typisch)Switching losses (typical)800700600500E [mJ]40030020010000300600EonEoffErecEon= f (IC) , Eoff= f (IC) , Erec = f (IC)VGE=±15V, Rgon=2,4W, Rgoff=0,62W, VCE=600V, Tvj=125°C9001200IC [A]1500180021002400Schaltverluste (typisch)Switching losses (typical)800EonEon= f (RG) , Eoff= f (RG) , Erec = f (RG)VGE=±15V, IC=1200A, VCE=600V, Tvj=125°C700600500E [mJ]400300200100002EoffErec4681012141618RG [W]6 (8)

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Technische Information / technical informationIGBT-ModuleIGBT-ModulesFF1200R12KE3vorläufige Datenpreliminary dataTransienter WärmewiderstandTransient thermal impedance0,1ZthJC= f (t)ZthJC [K/W]0,01Zth : IGBTZth : Diode0,0010,0010,010,1t [s]110iri [K/kW] : IGBTti [s] : IGBTri [K/kW] : Diodeti [s] : Diode12,996,7E-0112,0,452E-0129,805,634E-0213,247,451E-0239,2,997E-0213,2,7E-0242,573,820E-032,822,850E-03Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)Reverse bias safe operation area (RBSOA)300027002400210018001500120090060030000VGE=±15V, Tvj=125°CIC,ChipIC [A]IC,Chip200400600800100012001400VCE [V]7 (8)

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Technische Information / technical informationIGBT-ModuleIGBT-ModulesFF1200R12KE3vorläufige Datenpreliminary dataGehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8 (8)

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Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die

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In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung

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Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und

insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

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- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures.

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