专利名称：有机硅氧烷膜的处理方法及装置专利类型：发明专利
发明人：菱屋晋吾,佐野哲哉,关口学,三田伦广申请号：CN02817271.X申请日：20020829公开号：CN1552094A公开日：20041201
摘要：处理有机硅氧烷膜的方法，包含将配设了聚硅氧烷系药液的涂布膜的基板(W)搬入反应容器(1)内的工序。药液含有从甲基、苯基及乙烯基中选取的官能团和硅原子的结合。此外，本方法含有在反应容器(1)内对基板(W)进行热处理而烧结涂布膜的工序。热处理在含有混合了氨和水的催化剂气体的处理气氛内、300～400℃的处理温度下进行。
申请人：东京毅力科创株式会社,JSR株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：陈建全
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