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一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件[实用新型专利]

来源：小侦探旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件专利类型：实用新型专利发明人：邵光平

申请号：CN200720067356.2申请日：20070214公开号：CN2010170Y公开日：20080206

摘要：本实用新型涉及一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件，属于微电子技术领域，特征在于在源区与多晶硅栅层之间除设置有热氧化SiO栅氧层外，还增加设置了SiN层，两者结合构成复合栅，有助于提高栅的成品率，且源栅隔离层采用在多晶硅栅层表面上直接热氧化生成的工艺技术，利用SiN的氧化速度比多晶硅的氧化速度慢10倍以上、可以快速屏蔽栅区窗口、而在自身表面上只能生成便于去除的极薄氧化层的特点，有助于简化制造工艺、实现栅源自隔离和确保隔离层的生成。与现有技术的同类功率器件及其制造工艺技术相比，具有结构简单、工序简化，制造方便且成本低和产品质量易保证等诸多优点，具有很强的经济性和实用性。

申请人：上海富华微电子有限公司

地址：200122 上海市浦东新区东方路971号钱江大厦14楼H座

国籍：CN

代理机构：上海京沪专利代理事务所

代理人：沈美英

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