包括多个MOS管的IC及其铝线的光刻方法、制备方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201110151796.7 （22）申请日 2011.06.08

（71）申请人 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号

（10）申请公布号 CN102820298A

（43）申请公布日 2012.12.12

（72）发明人 王者伟;曾令旭;牟亮伟;黄兆兴 （74）专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公司

代理人 臧霁晨

（51）Int.CI

H01L27/088; H01L29/49; H01L21/336; H01L21/28; G03F7/20;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

包括多个MOS管的IC及其铝线的光刻方法、制备方法

（57）摘要

本发明提供一种包括多个MOS管的IC

（集成电路）及其铝线的光刻方法、制备方法，属于半导体制造技术领域。该IC的包括与所述多

晶硅栅极引线在同一布线层上的铝线，所述铝线置于任意两条所述多晶硅栅极引线之间，所述铝线上设置用于铝线光刻构图的减反射层，所述减反射层是厚度范围基本为90埃至130埃的非晶硅薄膜。该IC的铝线的光刻方法及制备方法中选择减反射层为厚度范围为90埃至130埃的非晶硅薄膜。因此，可以避免曝光过程中多晶硅栅极引线对光线的影响，避免铝线上形成缺口，大大提高IC的良率及其可靠性。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2012-12-12 公开

2013-01-30 实质审查的生效

2014-05-07 专利申请权、专利权的转移 2016-03-23

授权

法律状态

公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 授权

权利要求说明书

包括多个MOS管的IC及其铝线的光刻方法、制备方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

包括多个MOS管的IC及其铝线的光刻方法、制备方法的说明书内容是....请下载后查看