专利名称：晶体管的栅极结构、半导体器件及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：萧茹雄,苏庆煌,龚伯涵,卢颖新,黄一珊申请号：CN2020106169.2申请日：20200616公开号：CN112310199A公开日：20210202
摘要：半导体器件包括晶体管的沟道组件和设置在沟道组件上方的栅极组件。栅极组件包括：介电层、设置在介电层上方的第一功函金属层、设置在第一功函金属层上方的填充金属层和设置在填充金属层上方的第二功函金属层。本发明的实施例还涉及晶体管的栅极结构和形成半导体器件的方法。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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