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一种掩模板、晶圆及其曝光方法、封装方法

来源:小侦探旅游网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN201811198895.9 (22)申请日 2018.10.15

(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

(10)申请公布号 CN109240038A

(43)申请公布日 2019.01.18

(72)发明人 高超;程洁

(74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人 屈蘅

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

一种掩模板、晶圆及其曝光方法、封装方法

(57)摘要

本发明提供了一种掩模板、晶圆及其曝光

方法、封装方法。所述掩模板包括若干个产品晶粒图形以及至少一个对准晶粒图形,所述产品晶粒图形用于在晶圆上形成产品图形,所述对准晶粒图形用于在晶圆上形成后道封装时对准定位的掩膜图形。本发明还提供了一种晶圆及其曝光方法、封装方法。本发明采用具有对准晶粒图形的掩模板,曝光制备的晶圆具有在后道封装时用于对准和定位的对准晶粒,减少了作为mirror die

用于后道封装对准和定位所牺牲的晶粒的数量,从而降低了成本。

法律状态

法律状态公告日

2019-01-18 2019-01-18 2019-02-19

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

法律状态

公开 公开

实质审查的生效

权利要求说明书

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说明书

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