专利名称：一种曲面结构电场式时栅角位移传感器微纳制造方
法
专利类型：发明专利
发明人：丑修建,张文栋,薛晨阳,田英,许卓,薛彦辉申请号：CN201210573818.3申请日：20121226公开号：CN103075954A公开日：20130501
摘要：本发明涉及曲面结构电场式时栅角位移传感器的制造方法，具体为一种曲面结构电场式时栅角位移传感器微纳制造方法，包括测头基体制造方法和定尺基体制造方法，本发明采用微纳工艺制造曲面结构电场式时栅角位移传感器，解决了现有曲面结构电场式时栅角位移传感器传统加工过程中制造精度低、特殊结构图形转移易失真等技术难题。该方法可以提高加工过程中的制造精度，实现利用微纳制造方法来加工大尺寸曲面结构器件，利用该方法制造的曲面结构电场式时栅角位移传感器具有精度高、测量范围大、分辨率高、可靠性好、成本低等特点。
申请人：中北大学
地址：030051 山西省太原市尖草坪区学院路3号
国籍：CN
代理机构：太原科卫专利事务所(普通合伙)
代理人：朱源
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