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单晶的生长方法

来源:小侦探旅游网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(21)申请号 CN200780007680.8 (22)申请日 2007.03.05

(71)申请人 日本碍子株式会社;国立大学法阪大学;丰田合成株式会社

地址 日本爱知县

(10)申请公布号 CN101395305B

(43)申请公布日 2011.12.28

(72)发明人 岩井真;下平孝直;东原周平;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗;山崎史郎;平田宏治 (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司

代理人 雒纯丹

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

()发明名称

单晶的生长方法

(57)摘要

单晶的生长方法是,在含氮非氧化性

气氛下,通过使原料在容器1内熔融而生长单晶时,在使搅拌介质12与混合熔液10接触的状态下,一边摇动容器1,一边生长单晶,其中所述搅拌介质12由和该混合熔液10为非反应性的材质所形成的固形物形成。 法律状态

法律状态公告日

2009-03-25 2009-05-20 2011-12-28

公开

实质审查的生效 授权

法律状态信息

公开

法律状态

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权利要求说明书

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说明书

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