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常见IO电平标准

来源:小侦探旅游网
常用I/O电平标准

2011-10-20

现在常用的电平标准有:TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。

1. TTL(Transistor-Transistor Logic 三极管结构)

Vcc:5V;Voh >= 2.4V;Vol <= 0.5V;Vih >= 2V;Vil <= 0.8V。因为2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。

2. LVTTL(Low Voltage TTL)

LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL。

l 3.3V LVTTL: Vcc:3.3V;Voh >= 2.4V;Vol <= 0.4V;Vih >= 2V;Vil <= 0.8V。 l 2.5V LVTTL: Vcc:2.5V;Voh >= 2.0V;Vol <= 0.2V;Vih >= 1.7V;Vil <= 0.7V。

更低的LVTTL不常用就先不讲了,多用在处理器等高速芯片,使用时查看芯片手册就OK了。 TTL使用注意:TTL电平一般过冲都会比较严重,可能在始端串22欧或33欧电阻。TTL电平输入脚悬空时内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。

3. CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor MOS)

Vcc:5V;Voh >= 4.45V;Vol <= 0.5V;Vih >= 3.5V;Vil <= 1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限,输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL,出现了LVCMOS,可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。

l 3.3V LVCMOS:Vcc:3.3V;Voh >= 3.2V;Vol <= 0.1V;Vih >= 2.0V;Vil <= 0.7V。 l 2.5V LVCMOS:Vcc:2.5V;Voh >= 2V;Vol <= 0.1V;Vih >= 1.7V;Vil <= 0.7V。

CMOS使用注意:CMOS结构内部寄生有可控硅结构,当输入或输入管脚高于VCC定值(比如一些芯片是0.7V)时,电流足够大的话,可能引起闩锁效应,导致芯片的烧毁。

4. ECL(Emitter Coupled Logic发射极耦合逻辑电路-差分结构)

Vcc = 0V;Vee = -5.2V;Voh = -0.88V;Vol = -1.72V;Vih = -1.24V;Vil = -1.36V。 速度快,驱动能力强,噪声小,很容易达到几百兆的应用。但是功耗大,需要负电源。为简化电源,出现了PECL(ECL结构,改用正电压供电)和LVPECL。

l PECL(Pseudo/Positive ECL)

Vcc = 5V;Voh = 4.12V;Vol = 3.28V;Vih = 3.78V;Vil = 3.64V 。 l LVPELC(Low Voltage PECL)

Vcc = 3.3V;Voh = 2.42V;Vol = 1.58V;Vih = 2.06V;Vil = 1.94V。

ECL、PECL、LVPECL使用注意:不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片进行转换。以上三种均为射随输出结构,必须有电阻拉到一个直流偏置电压。(如多用于时钟的LVPECL:直流匹配时用130欧上拉,同时用82欧下拉;交流匹配时 用82欧上拉,同时用130欧下拉。但两种方式工作后直流电平都在1.95V左右。)

前面的电平标准摆幅都比较大,为降低电磁辐射,同时提高开关速度又推出LVDS电平标准。

5. LVDS(Low Voltage Differential Signaling)

差分对输入输出,内部有一个恒流源3.5~4mA,在差分线上改变方向来表示0和1。通过外部的100欧匹配电阻(并在差分线上靠近接收端)转换为 ±350mV的差分电平。

LVDS使用注意:可以达到600M以上,PCB要求较高,差分线要求严格等长,差最好不超过10mil(0.25mm)。100欧电阻离接收端距离不能超过500mil,最好控制在300mil以内。下面的电平用的可能不是很多,由于篇幅关系,只简单做一下介绍。如果感兴趣的话可以联系我。

6. CML

是内部做好匹配的一种电路,不需再进行匹配。三极管结构,也是差分线,速度能达到3G以上。只能点对点传输。

7. GTL

类似CMOS的一种结构,输入为比较器结构,比较器一端接参考电平,另一端接输入信号。1.2V电源供电。

l GTL:Vcc = 1.2V;Voh >= 1.1V;Vol <= 0.4V;Vih >= 0.85V;Vil <= 0.75V 。

l PGTL/GTL+: Vcc = 1.5V;Voh >= 1.4V;Vol <= 0.46V;Vih >= 1.2V;Vil <= 0.8V 。

8. HSTL

主要用于QDR存储器的一种电平标准:一般有V¬;CCIO = 1.8V和V¬;CCIO =1.5V。和上面的GTL相似,输入为比较器结构,比较器一端接参考电平(VCCIO/2),另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。

9. SSTL

主要用于DDR存储器,与HSTL基本相同。V¬;CCIO = 2.5V,输入为比较器结构,比较器一端接参考电平1.25V,另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。 HSTL和SSTL大多用在300M以下。

10. RS232和RS485

RS232采用±12~15V供电,我们电脑后面的串口即为RS232标准。+12V表示0,-12V表示1。可以用MAX3232等专用芯片转换,也可以用两个三极管加一些外围电路进行反相和电压匹配。 RS485是一种差分结构,相对RS232有更高的抗干扰能力。传输距离可以达到上千米。

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