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一种以NH作为N源的In-N共掺制备p型ZnO薄膜的方法[发明专利]

来源：小侦探旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种以NH作为N源的In－N共掺制备p型ZnO薄膜

的方法

专利类型：发明专利

发明人：叶志镇,简二梅,刘伟昌,赵炳辉申请号：CN200810060795.X申请日：20080422公开号：CN101267010A公开日：20080917

摘要：本发明公开了一种以NH作为N源的In－N共掺制备p型ZnO薄膜的方法，该方法利用直流反应磁控溅射技术，以In金属为施主掺杂源，以NH为N源并作为受主掺杂源制成的。以ZnIn二元合金为靶材，将清洗过的衬底放入直流反应磁控溅射装置的生长室中，生长室抽真空，溅射压强控制在1Pa，生长温度为400～600℃，在NH和O的气氛下生长；本发明方法以ZnIn二元合金为靶材，制作方法简便，耗时少，可轻易制备不同含量的靶材；掺杂浓度可以通过调节输入的反应气体的分压比、靶材中的In含量和温度来控制，掺杂浓度可控性、稳定性好；制得的ZnO薄膜表面平整，晶粒大小均匀且具有较好的择优取向，所得薄膜具有良好的光电性能。

申请人：浙江大学

地址：310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

国籍：CN

代理机构：杭州求是专利事务所有限公司

代理人：周烽

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