XPS数据分析
纵坐标：Intensity(cps)
横坐标：binding energy（eV）
除了氢氦元素，其他的元素都可以进行分析；先进行宽扫，确定样品有何种元素，再对该元素进行窄扫。该元素的不同键接方式都对应不同的峰，所以对元素窄扫的峰要进行分峰（分峰之前要进行调整基线）。如何分峰，不同的键接方式会对应不同的结合能。
第一步：先把元素的窄扫峰用origin画出来；
纵坐标：Intensity(cps)
横坐标：binding energy（eV）
第二步：调整基线；
选择Ceate Baseline-----next------next-----add/modify添加（双击）或去除（delete）基点，保证基线水平-----Finish
最小化图，会出现调整基线后的坐标。插入一列，
单机右键选择set column values 输入col（b）-col（d）：即开始纵坐标减去调整基线后的纵坐标。
再用横坐标与刚开始得到的纵坐标作图------调整基线后的XPS窄扫图。
第三步：对峰求积分面积；
选择integrate peaks-----next-------狂点------完成
即area为峰的面积。
第四步：分峰较难（有专门的分峰软件，origin也能分峰）
第五步：求组分元素比：
元素比等于：窄扫峰面积/XPS灵敏度因子（每一个元素的灵敏度因子不一致）
咱们这边西工大的XPS设备选择的是铝板（AlKα）。
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