２０１５年８月 第４３卷 第４期（总第２３９期） 吉 林 电 力 Ｊｉｌｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ａｕｇ．２０１５ Ｖｏ１．４３ Ｎｏ．４（Ｓｅｒ．Ｎｏ．２３９） 变压器绕组介质损失因数测试接线方式的探讨 Ｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎ ｏｎ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｍｏｄｅ ｏｆ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ Ｗｉｎｄｉｎｇ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｏｓｓ Ｆａｃｔｏｒ Ｔｅｓｔｉｎｇ 赵九文 ，王福成 ，王忠伟 ，于万祥。 （１．国网白城供电公司，吉林 白城 １３７０００；２．松花江热电有限公司，吉林 吉林 １３２０００； ３．国网吉林省电力有限公司培ｉＪ，Ｉ中心，长春 １３００６２） 摘 要：针对变压器绕组介质损失因数（ｔａｎ ）测试中存在的计算繁琐、测试操作次数及登高次数多带来的不安全 因素增多等问题，利用变压器绕组ｔａｎ 测试中抗干扰电桥的特性，在实际测试数据分析基础上，介绍了高压屏蔽 和低压屏蔽２种接线方式，通过比对，对于应用较广泛的ＡＩ一６０００系列的抗干扰电桥，建议Ｅ型电桥使用低压屏蔽 法，Ａ、Ｂ、Ｃ Ｄ型号电桥使用高压屏蔽法作为变压器绕组ｔａｎ 测试中的推荐方法。 关键词：介质损失因数（ｔａｎ ）；变压器绕组；接线方式；高低压屏蔽 中图分类号：ＴＭ８３５．４ 文献标志码：Ｂ 文章编号：１００９—５３０６（２０１５）０４—００４８—０３ 变压器测量介质损失因数（以下简称介损，即 ｔａｎ ）是绝缘交接、预试、例行试验的重要项目，是 判断变压器发生整体受潮、油质劣化、绕组产生严重 的局部缺陷的重要手段。以往测试过程中，由于需要 多次变更试验接线以及最终测试结果需要经过二次 Ｃ ｔａｎ ）／Ｃｄ；图１ｃ中：测量值为高压绕组、低压绕 组对地：的值，即ｃｇ＋ｄ：＝＝Ｃ１＋Ｃ３、ｔａｎ ｇ＋ｄ一（ｃｌｔａｎ ＋ｃ。ｔａｎ ）／（ｃ ＋ｃａ）。可见，真正需要得到的数 据Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、ｔａｎ １、ｔａｎ ２、ｔａｎ 并没有直接测量 到，而是需要二次计算。 表１ 常规接线法的测量部位 计算，给正确判断设备真实绝缘状况带来了很多的 不确定因素。本文通过对现场测试时几种接线方式 测试结果的比较分析，获得了简洁有效的试验方法。 １ 变压器绕组ｔａｎ 测试的几种接线方式 变压器ｔａｎ 测试时，最需要的数据是低压绕 ｂ．高压屏蔽法，需测试３次数据，该试验方法测 量部位见表２，接线图见图２，该种接线需更改２次。 表２高压屏蔽法的测量部位 组对地电容量及介损值（Ｃ。、ｔａｎ３ ）、高压绕组对低 压绕组（ｃ。、ｔａｎ ）以及高压绕组对地（Ｃ。、ｔａｎ ）数 值。近几年较常使用的仪器为ＡＩ一６０００抗干扰电桥， 已经从Ａ型发展到现在的Ｅ型，尤其是Ｅ型在变压 器的介损测试中得到了较好的应用。下面就以该类 型电桥为例，介绍现场测试时的几种接线方式。 ａ．常规接线法：需测试３次数据，该试验方法测 量部位见表１，接线见图１，接线需更改２次。 高压屏蔽法接线方式下，图２ａ直接测量值为高 图１ａ中：测量值为高压绕组对低压绕组及地的 值，即高压绕组的电容Ｃ ＝：：ｃ ＋Ｃ。，ｔａｎ 一（ｃ ｔａｎ 。压绕组对地值Ｃ。、ｔａｎ 。；图２ｂ直接测量值为低压 绕组对地值Ｃ 、ｔａｎ ；图２ｃ中，直接测量值为高低 压绕组间的值Ｃ 、ｔａｎ 。 Ｃ．低压屏蔽法（反接线Ｍ测量方式），需测试３ ＋Ｃ。ｔａｎ炙）／Ｃ ；图１ｂ中：测量值为低压绕组对高 压绕组及地的值Ｃｄ—Ｃ１＋Ｃ２，ｔａｎ乱一（ｃ１ｔａｎ １＋ 收稿日期：２０１５—０５—２３ 作者简介：赵九文（１９７２），女，助理工程师，高级技师，从事电气试验工作。 ・４８・ ２０１５年８月 第４３卷 第４期（总第２３９期） 吉 林 电 力 Ｊｉｌｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ａｕｇ．２０１５ Ｖｏ１．４３ Ｎｏ．４（Ｓｅｒ．Ｎｏ．２３９） ａ．高压加压 ａ．低压加压 Ｃ．（高压＋低压）加压 图１常规法接线圈 ａ．高压加压，低压屏蔽 ｂ．低压加压，高压屏蔽 ｃ．高压加压，低压接测试线Ｃｘ 图２高压屏蔽法接线图 次数据，该试验方法测量部位见表３，接线见图３，接 线只需更改１次。 低压屏蔽法接线方式下，图３ａ测量值为高压绕 表３低压屏蔽法的测量部位 组对地的值Ｃ。；ｔａｎ ；图３ｂ测量值为低压绕对地 的值Ｃ 、ｔａｎ １；图３ｃ测量值为高低压绕组间的值 Ｃ２、ｔａｎ ２。 ａ．高压加压，低压接测试线ｃｘ ｂ．低压加压，高压接测试线 ｃ．高压加压。低压接测试线Ｃｘ 图３低压屏蔽法接线图 ・４９・ ２０１５年８月 第４３卷 第４期（总第２３９期） 吉 林 电 力 Ｊｉｌｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ａｕｇ．２０１５ Ｖｏｌ－４３ Ｎｏ．４（Ｓｅｒ．Ｎｏ．２３９） ａ试验方法更改２次接线，测量３次，得出３组数 ２ 变压器绕组ｔａｎ 测试实例及分析 下面以吉林省某风场２２０ ｋＶ双绕组变压器为 据，并需要进行二次计算才能最后得到所需数据．ｂ 试验方法更改２次接线，测量３次，直接得出了所需 试验数据；Ｃ试验方法只需更改１次试验接线，测量 例，在相同试验条件下３种不同的测量方法的数据 做简单叙述。 ａ．常规接线方式下：图１ａ中，测量结果为Ｃ。＋ Ｃ３—８ ８６７ ｐＦ，（Ｃ２ｔａｎ ２＋Ｃ３ｔａｎＢ３）／Ｃ 一０．１９２；图 １ｂ中，测量结果为Ｃ。＋Ｃ 一１３ ３１０ ｐＦ，（Ｃｌｔａｎ ＋ ３次，就得出了所需试验数据。从试验数据看，３种试 验方法最终得到的试验结果基本是一致的，不影响 对设备绝缘状况的判断，但是Ｃ试验方法最简单，推 荐首选该方法。 Ｃ ｔａｎ ）／ｃｄ＝＝＝０．２５１；图１ｃ中，测量结果为Ｃｌ＋ Ｃ３—１２ ６５０ ｐＦ，（Ｃ１ｔａｎ １＋Ｃ３ｔａｎ ）／（Ｃ ＋Ｃｄ）一 ０．２４９。 ３结束语 目前，变压器介损测试已经成为现场最常见的 测试手段，对于应用较广泛的ＡＩ一６０００系列的抗干 扰电桥，建议Ｅ型电桥使用Ｃ试验方法，即低压屏蔽 法（反接线Ｍ测量方式）；使用Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ型号的建 议试验时采用ｂ试验方法，即高压屏蔽法，ｂ、Ｃ两种 通过上面３次测量的结果解方程得到：Ｃ 一 ８ ５４６．５ ｐＦ；ｔａｎ １—０．２８０ ；Ｃ２—４ ７６３．５ ｐＦ；ｔａｎ ２—０．１９８ ；Ｃ３—４ １０３．５ ｐＦ；ｔａｎ ３＝＝＝０．１８５ 。 ｂ．高压屏蔽接线方式下：图２ａ中，测量结果为 Ｃ３—４ １０２ ｐＦ，ｔａｎ ３＝＝＝０．１８５ ；图２ｂ中，测量结果 为Ｃ１＝＝：８ ５４７ ｐＦ，ｔａｎ １—０．２８０ ；图２ｃ中，测量结 果为Ｃ２—４ ７５７ ｐＦ，ｔａｎ ２—０．１９６ 。 测试方法与ａ试验方法比较有以下优点：取消了繁 琐的计算，避免了计算上可能带来的误差或错误，排 除了可能产生的误判断，同时也节省了时间；减少了 Ｃ．低压屏蔽接线方式下：图３ａ中，测量结果为 Ｃ３—４ １０６ ｐＦ，ｔａｎ 一０．１８５ ；图３ｂ中，测量结果 为Ｃ 一８ ５５０ ｐＦ，ｔａｎ １—０．２７９％；图３ｃ中，测量结 果为Ｃｚ一４ ７５７ ｐＦ，ｔａｎ ２—０．１９６ 。 测试操作的次数，提高了工作效率；减少了试验人员 在变压器上更改接线的登高操作次数，降低了不安 全因素。 通过上面３种测试方法的数据比较，可以看出， （编辑李健平） ， ’・写作知识・ 非公知公用的缩略语须给出中文及英文全称 本专业或相邻专业科技人员公知公用的缩略语可用于题名或文章中，例如：ＤＮＡ（ｄｅｏｘｙｒ ｏｎｕｃｌｅｉｃ ａｃｉｄ，脱氧核糖核酸），ＬＡＳＥＲ（１ｉｇｈｔ ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｂｙ ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｏｆ ｒａｄｉａｔｉｏｎ，激光），ＧＩＳ （ｇｅｏｇｒａｐｈｙ ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ，地理信息系统）；其他非公知公用的缩略语首次出现时须给出中文及英文全 称，例如，ＢＰＳ（ｂｙｐａｓｓ ｃｏｎｔｒｏｌ ｓｙｓｔｅｍ，旁路控制系统），ＣＣＳ（ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ ｃｏｎｔｒｏｌ ｓｙｓｔｅｍ，协调控制系统）， ＤｃＳ（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｃｏｎｔｒｏｌ ｓｙｓｔｅｍ，分散控制系统），文章以后再次出现该词时可用英文缩略语代替中文全称， 并且尽量使用２００２年全国科学技术名词审定委员会公布的《电力名词》或《现代汉语词典（第５版）》的标准 电力行业专业词语，同一术语若有多种称谓（如电势／电位，反应速度／反应速率），全文应予统一。 （本刊编辑部） ・５Ｏ・
