专利名称：硅制造装置及硅制造方法专利类型：发明专利发明人：中原胜正,榊大介申请号：CN201080022441.1申请日：20100519公开号：CN102438946A公开日：20120502
摘要：锌气体供给口(18b、180b、181b、182b、183b、184b、185b、280a)比四氯化硅气体供给口(16a、160a)靠上方，一边利用加热器(22)将反应器(10、100)的局部温度设定在硅的析出温度范围，一边从四氯化硅气体供给口将四氯化硅气体供给至反应器内，并从锌气体供给口将锌气体供给至反应器内，从而在反应器内利用锌对四氯化硅进行还原，在反应器内，在与设定于硅的析出温度范围的区域相对应的壁部上形成析出硅的硅析出区域(S)。
申请人：旭硝子株式会社,木野科技太阳能股份有限公司
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容