专利名称：一种浮栅结构及其制备方法专利类型：发明专利发明人：曹开玮
申请号：CN201810456516.5申请日：20180514公开号：CN108447900A公开日：20180824
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种浮栅结构，包括：衬底；阵列式的多个浮栅单元结构，形成于衬底的上表面；浅槽隔离结构，形成于浮栅单元结构之间并延伸至衬底中，用于将相邻的浮栅单元结构隔离开；其中，每个浮栅单元结构的顶部形成有一凹槽；以及一种浮栅结构的制备方法；能够在形成的每个浮栅单元结构的顶部形成凹槽，从而扩大每个浮栅单元结构的顶部的电容藕荷率。
申请人：武汉新芯集成电路制造有限公司
地址：430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
国籍：CN
代理机构：上海申新律师事务所
代理人：俞涤炯
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