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提高HVMOS器件性能的方法

来源：小侦探旅游网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN200780015965.6 （22）申请日 2007.03.12

（71）申请人德克萨斯仪器股份有限公司

地址美国德克萨斯州

（10）申请公布号 CN101461045B

（43）申请公布日 2010.08.11

（72）发明人 V·埃瓦诺;J·C·米特罗斯

（74）专利代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人赵蓉民

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

提高HVMOS器件性能的方法

（57）摘要

公开的方法可制造具有变化的沟道长

度和基本相似的阈值电压的漏极扩展金属氧化物半导体(DEMOS)器件。为第一和第二器件选择阈值电压。形成第一和第二阱区域(204)。第一和第二漏极扩展区域(206)形成于所述阱区域内。第一和第二背栅(208)区域根据选择的阈值电压形成于所述阱区域内。第一和第二栅极结构形成于具有变化的沟道长度的第一和第二阱区域的上方。第一源极区域(212)形成于第一背栅区域之内并且第一漏极区域形成于第一漏极扩展区域之内。第

二源极区域形成于第二背栅区域内并且第二漏极区域形成于漏极扩展区域内。法律状态

法律状态公告日

2009-06-17 2009-08-12 2010-08-11

法律状态信息

公开

实质审查的生效授权

法律状态

公开

实质审查的生效授权

权利要求说明书

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说明书

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