可同时监控光刻曝光条件和套刻精度的方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200710094513.3 （22）申请日 2007.12.14

（71）申请人 上海华虹NEC电子有限公司

地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号

（10）申请公布号 CN1014584A

（43）申请公布日 2009.06.17

（72）发明人 王雷;黄玮

（74）专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司

代理人 周赤

（51）Int.CI

G03F7/20; G03F9/00; G03F1/14;

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

可同时监控光刻曝光条件和套刻精度的方法

（57）摘要

本发明公开了一种可同时监控光刻曝光条

件和套刻精度的方法，通过用形状为菱形的测量图形来排列成光刻套刻图形，并且使得所述各菱形的长度、宽度和空间周期取得足够小，以使得宏观光学测量不能分辨出所述光刻套刻图形中的各个菱形，而微观光刻则可以分辨出所述光刻套

刻图形中的各个菱形；然后，使用光学显微镜来同时完成对光刻曝光条件及光刻套刻精度变化的测量，从而不仅简化了工艺步骤，降低了生产成本，缩短了硅片的生产周期；而且，对于监控曝光条件的监控，不仅能够监控曝光能量的变化，还可监控曝光焦距的变化，从而提高了对曝光条件的在线监控能力。

法律状态

法律状态公告日2009-06-17 2009-08-12 2010-09-29 2014-02-05

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权

专利申请权、专利权的转移

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实质审查的生效 授权

专利申请权、专利权的转移

权利要求说明书

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说明书

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