专利名称：一种Al掺杂的氧化锌薄膜及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：刘永生,彭麟,杨晶晶,房文健,方津申请号：CN201110309265.6申请日：20111013公开号：CN102368502A公开日：20120307
摘要：本发明涉及Al掺杂的氧化锌薄膜及其制备方法。通过脉冲激光沉积的方法制备的Al掺杂的氧化锌薄膜具有良好的轴外延生长结构，表面质量较好，厚度为430nm。本发明的Al掺杂的氧化锌薄膜由于制备过程中引入了一层非晶SiO过渡层既能够减小薄膜和Si衬底由于晶格失配而产生的应力，又能有效减少Si表面态的影响，从而改善Al掺杂的氧化锌薄膜的微结构和透明导电性能。另外，由于Al掺杂的氧化锌薄膜中Al的掺入所形成的缺陷对载流子的俘获与ZO薄膜相比更有效，Al原子的引入改变了电荷载流子俘获的途径，且在很大程度上将会降低激发态的寿命。
申请人：上海电力学院
地址：200090 上海市杨浦区平凉路2103号
国籍：CN
代理机构：上海申汇专利代理有限公司
代理人：吴宝根
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