专利名称：一种中性阴离子荧光化学传感器的应用专利类型：发明专利
发明人：刘顺英,刘彦运,段孔荣,余家会,罗淑芳申请号：CN200910051244.1申请日：20090514公开号：CN101566625A公开日：20091028
摘要：本发明公开了一种中性阴离子荧光化学传感器在汞离子荧光检测中的应用，该传感器包括胆酸分子骨架、阴离子键合单元硫脲或者脲基以及传感的信号单元荧光分子基团，具有如右结构式，式中，R和R为具有相同荧光化学基团；R和R其一或同时为含能与汞离子作用的硫脲基团；3、7、12和24分别表示胆酸分子骨架中3位、7位、12位和24位上的碳原子，分别记作C3、C7、C12和C24；该传感器用于选择性传感、响应重金属汞离子。本发明公开的一种中性阴离子荧光化学传感器克服了目前汞离子检测中遇到的银离子和铜离子干扰问题，且检测灵敏度可达1.0×10mol·L。
申请人：华东师范大学
地址：200241 上海市闵行区东川路500号
国籍：CN
代理机构：上海蓝迪专利事务所
代理人：徐筱梅
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