现场可编程器件FPGA的BLOCK RAM级联结构

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201610141942.0 （22）申请日 2016.03.11

（71）申请人 中国电子科技集团公司第五十八研究所

地址 214035 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号

（10）申请公布号 CN105808474A

（43）申请公布日 2016.07.27

（72）发明人 丛红艳;闫华;于宗光;单悦尔;胡凯 （74）专利代理机构 总装工程兵科研一所专利服务中心

代理人 杨立秋

（51）Int.CI

G06F13/16;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

现场可编程器件FPGA的BLOCK RAM级联结构

（57）摘要

本发明涉及现场可编程器件FPGA的

BLOCK RAM级联结构，包括：一列SRAM18K单元，一列SRAM18K单元内相邻的两个SRAM18K单元通过第一级ASIC级联逻辑布线结构进行地址级联或者数据并联，形成一个BLOCK RAM单元，依次类推，以FPGA中CLK REGION的布线为限制，相邻的两个BLOCK RAM单元进行级联，形成一个BRAM GROUP单元，相邻的两个BRAM GROUP单元

进行级联，形成一个BRAM COLUMN单元，以形成一个所需地址深度及数据宽度的BLOCK RAM级联结构。本发明能够实现所需的地址深度和数据宽度的存储单元RAM，简化软件算法，节约外围布线资源。

法律状态

法律状态公告日

2016-07-27 2016-07-27 2016-08-24 2016-08-24 2019-07-26

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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