反相器[发明专利]

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专利名称：反相器专利类型：发明专利

发明人：刘立滨,李为民,王敬,许军申请号：CN201410049719.4申请日：20140213公开号：CN103812501A公开日：20140521

摘要：本发明提出一种反相器，包括：N型无结型场效应晶体管，其中，N型无结型场效应晶体管为无结型双栅结构；P型无结型场效应晶体管，其中，P型无结型场效应晶体管为无结型双栅结构，N型无结型场效应晶体管与P型无结型场效应晶体管平行放置，N型无结型场效应晶体管的源区、漏区及沟道区与P型无结型场效应晶体管的源区、漏区及沟道区通过隔离层隔开；隔离层，隔离层的厚度为2-50nm，用于将N型无结型场效应晶体管与P型无结型场效应晶体管电隔离。本发明的反相器通过利用组成反相器两晶体管之间的类似侧栅现象减少传播延时，优化反相器性能，减少反相器所占的芯片的面积。

申请人：清华大学

地址：100084 北京市海淀区100084-82信箱

国籍：CN

代理机构：北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：张大威

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