专利名称：晶体氧化铈及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：崔相洵,曹升范,河贤哲,郭益淳,赵俊衍申请号：CN201180023381.X申请日：20110309公开号：CN102884002A公开日：20130116
摘要：本发明涉及以一种简单、经济、和有效率的方式制备的晶体氧化铈，其晶体结构、形状，和尺寸可以被轻松地调节且其展示出优异的抛光性能，以及涉及它的制备方法。该晶体氧化铈可以被制备为亚微米级晶体氧化铈，其具有在预定范围内的平均体积直径和直径标准偏差。
申请人：株式会社LG化学
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：北京北翔知识产权代理有限公司
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