专利名称：一种复合衬底的制备方法专利类型：发明专利发明人：戴世元,王培培申请号：CN201810725529.8申请日：20180704公开号：CN108878271A公开日：20181123
摘要：本发明提供了一种一种复合衬底的制备方法，能够将InP或Ge脆性衬底键合在硬性衬底上，在硬性衬底上刻蚀形成凹部，在脆性衬底上刻蚀形成凸部，形成具有凸部的脆性衬底，凹部的形状与脆性衬底凸部的形状相同，然后进行键合，键合后通过H或He离子的注入，进行脆性衬底的切割，在制备半导体器件过程容易产生碎裂的问题，提高了制备良率。
申请人：南通沃特光电科技有限公司
地址：226300 江苏省南通市高新区新世纪大道266号南通沃特光电科技有限公司
国籍：CN
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