认识内存编号含义
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号： HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下：
1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的
1
《计算机故障检测与维护》其他资源 告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。
常见SDRAM 编号识别
维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。 (1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下： ▲ HY HYUNDAI ------- 现代 ▲ MT Micron ------- 美光 ▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西门子 ▲ HM Hitachi ------ 日立 ▲ MB Fujitsu ------ 富士通 ▲ TC Toshiba ------ 东芝 ▲ KM Samsung ------ 三星 ▲ KS KINGMAX ------ 胜创 (2)内存芯片速度编号解释如下:
★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns. ★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns. ★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns. ★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns. (3) 编 号 形 式 HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM. b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
2
《计算机故障检测与维护》其他资源 dd表示带宽。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2. g表示版本号，B—第三代。
h表示电源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。 ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ; 10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3) 10—100MHZ(非PC100)。 例：1） HY57V651620B TC-75
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ. 2) HY57V653220B TC-7
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ
全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)：
序号 品牌 国家/地区 标识 备注 1 三星 韩国 SAMSUNG 2 现代 韩国 HY
3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并 4 迈克龙 美国 MT
5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并 6 日电 日本 NEC 7 日立 日本 HITACHI 8 冲电气 日本 OKI 9 东芝 日本 TOSHIBA 10 富士通 日本 F 11 西门子 德国 SIEMENS 12 联华 台湾 UMC 13 南亚 台湾 NANYA
3
《计算机故障检测与维护》其他资源 14 茂矽 台湾 MOSEI
表 任务评价 任务 名称 学时 2 任务 描述 任务 分析 1. 实施 方案 2. 3. 4. 问题 记录 1. 2. 3. 评价项目 评价标准 教师认可： 处理 方法 1. 2. 3. 教师评价 （50%） 学生自评（20%） 小组互评（30%） 成果 评价 1. 2. 3. 4. 5. 6. 评 语： 1. （x%） 2. （x%） 3. （x%） 4. （x%） 5. （x%） 6. （x%） 教师 评语 成绩等级： 教师签字： 小组 信息 班 级 组长签字 第 组 同组同学 日 期
内存的几个常见疑问
1.内存的单面与双面，单Bank与双Bank的区别？
4
《计算机故障检测与维护》其他资源 单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank与双Bank的区别就不同了。Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank，而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。如果主板只支持4个Bank，而我们却用6个Bank的话，那多余的2个Bank就白白地浪费了。双面不一定是双Bank，也有可能是单Bank，这一点要注意。 2.内存的2-2-3通常是什么意思？
这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在主板的BIOS里面关于内存参数的设置了。通常说的2-2-3按顺序说的是tRP（Time of Row Precharge），tRCD（Time of RAS to CAS Delay）和CL（CAS Latency）。tRP为RAS预充电时间，数值越小越好；tRCD是RAS到CAS的延迟，数值越小越好；CL（CAS Latency）为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。
3.内存的双通道技术和单通道有什么不同？
什么是双通道DDR技术呢？需要说明的是，它并非我们以前所介绍的DDRII，而是一种可以让2条DDR内存共同使用，数据并行传输的技术。双通道DDR技术的优势在于，它可以让内存带宽在原来的基础上增加一倍，这对于P4处理器的好处可谓不言而喻。大家都知道400MHz FSB的P4处理器和主板传输数据的带宽为3.2GB/s，而533MHz FSB的P4处理器的吞吐能力更是达到了4.3GB/s，但是目前除了I850E支持的Rambus PC1066规范外，根本没有内存可以满足处理器的需要，我们最常用的DDR333本身仅具有2.7GB/s的带宽。 4.DDR-Ⅱ和现在的DDR内存有什么不同？
DDR-II内存是相对于现在主流的DDR-I内存而言的，它们的工作时钟预计将为400MHz或更高。主流内存市场将从现在的DDR-333产品直接过渡到DDR-II。DDR-II内存将采用0.13微米制程，容量为18MB/36MB/72MB，最大288MB，字节架构为X8、X18、X36，读取反应时间为2.5个时钟周期。通过将DLL(delay-locked loop，延时锁定回路)设计到内存中（这与Rambus设计理念相似），输出的数据效率提升65%左右，DDR数据传送方式为每周期32个字节，并且可以随工作频率的提升达到更高性能 。已知道的规格有：系统内存方面包括400MHz(4.8GB/s带宽)、533MHz(5.6GB/s带宽)、667MHz(6.4GB/s带宽)三种，显卡(默认规格)方面包括800MHz、1000MHz两种。所有的DDR-II内存均在1.8V下工作，单条容量至少有512MB。DDR-II管脚数量有200pin、220pin、240pinFBGA封装形式之分，与现在的DDR内存不相容。
5
《计算机故障检测与维护》其他资源
内存合理搭配的详细介绍及方法
现在正是内存频繁换代的时候，DDR、DDR2、DDR3在市场同时存在，价格差异也较大。那么在同等价格预算下，到底是使用大容量的老内存，还是使用容量相对小一些的 性能指标更高的新内存好呢？当然，内存容量越大越好，在系统允许识别的情况下。很多人的意见都不一样，有人说宁可要2GB的SDRAM也不要512MB的DDR，也有人说只有RDRAM才能配合 Pentium4。这对那些办公之类的电脑来说都不算问题，那么对游戏娱乐类的电脑该如何取舍呢？
我们都知道，在PC应用领域，图形处理、游戏和文字处理是最主要的任务。显然，游戏和图形处理是对内存要求较高的任务，但即使在这两方面，也不能一概 而论地说就要高性能的内存。因为游戏中也分即时战略和动作射击（很多3D化的RPG现在也可归入此类了）两大类，不同的游戏对系统的要求是不一样的，当然 装机配内存的时候就不能一刀切了。 3D动作类游戏
3D动作类最典型的代表是CS与极品飞车等游戏，这些游戏除了对显卡要求高外，对内存的带宽和瞬间的数据吞吐能力要求也是很高的。因为多数人用的显卡 都是64MB显存或以下的，AGP显卡借用系统内存是不可避免的；即使是具有128MB显存的显卡，也不可能完全包办大型3D游戏产生的数据需求。越复杂 越绚丽的场景，对内存的要求就越高。例如CS里的烟雾弹投掷后、水里行进的光线折射，飞车里的车面质感、尾气烟尘的效果等等，都需要在瞬间传送大量的数 据，渲染多个三角形，所以对速度是很敏感的。如果内存提供的带宽不够高，在一些如多人混战、多辆车子抢道、撞车等场景，就可能出现暂时的停滞感，玩起来当 然很不爽了。不过，这类游戏总体上的数据量却不算很多——因为激烈对抗的场景不是时时都有，有时游戏中的单位死亡了，停止活动了，数据传输量也会减少—— 这种游戏，应该搭配性能指标高的内存。256MB的DDR266/333往往会比512MB的SDRAM效果好。 即时战略类游戏
魔兽3是最近最火爆的游戏之一，这是一个3D化的即时战略游戏。尽管采用了3D的界面，这个游戏需要渲染的三角形却不算多，一块32MB的显卡基本上 就可胜任了（当然如果把游戏调为高分辨率、高色深的话还是需要64MB的显存才能跑得顺）。这个游戏对内存的胃口在于容量而不是带宽指标，因为这个游戏的 单位是死亡后马上又产生新的单位补充，除非玩家游戏资金耗尽被消灭，否则单位只会越来越多。到后期大家基本上都是满员的90人口，每个单位都要占用一定量 的内存，4家以上对战的话，系统的负荷是相当大的，容量少于256MB的时候，可以明显感觉到游戏的停滞。
6
《计算机故障检测与维护》其他资源 尤其是多个单位施放魔法的时候，光影效果更复 杂，低容量内存配置的系统，基本就没法玩了。例如有人装的是高端Pentium 4+128MB RDRAM机型，玩魔兽3将是很痛苦的。一般来说，这种游戏至少要256MB内存才会流畅，512MB的SDRAM，在这里会比256MB的DDR或RDRAM显出优势来。 总的来说，内存大的时候，读取和存档速度会快点；游戏的峰值数据传输，就要靠内存的最高带宽了。因此容量与性能的均衡，还要看你的具体要求和内存的合理搭配了
7
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容