专利名称：太阳能电池专利类型：实用新型专利发明人：王荣
申请号：CN201920973838.7申请日：20190626公开号：CN209747534U公开日：20191206
摘要：本实用新型提供一种太阳能电池。该太阳能电池包括Si衬底，n型掺杂InP量子点层、p型掺杂InP量子点层、第一电极和第二电极，n型掺杂InP量子点层和p型掺杂InP量子点层分别设置在Si衬底的两侧，第一电极设置在n型掺杂InP量子点层的背离Si衬底的一侧，第二电极设置在p型掺杂InP量子点层的背离Si衬底的一侧。该太阳能电池，用Si衬底代替InP衬底，由于Si衬底的电池制备工艺相对成熟，从而大大降低了InP电池的制备成本；同时，该InP电池具有较高的光电转换效率，且适合在恶劣的空间环境中使用，寿命长。
申请人：东泰高科装备科技有限公司
地址：102200 北京市昌平区科技园区中兴路10号A129-1室
国籍：CN
代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司
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