专利名称：纳米银基电接触合金及其制备工艺专利类型：发明专利
发明人：王亚平,张晖,杨志懋,丁秉钧,宋晓平申请号：CN001375.2申请日：20001228公开号：CN1320711A公开日：20011107
摘要：纳米晶银基电接触合金及其制备工艺,利用高能球磨工艺制备出纳米级SnO、InO和Ag的复合粉,采用常规工艺制备出AgSnO系列触点合金。此种AgSnO触点合金的纳米级(10～100nm)第二相粒子(SnO、InO粒子)均匀分布于银基体中,触点电导率升高,抗熔焊和抗电弧侵蚀能力增强。
申请人：西安交通大学
地址：710049 陕西省西安市咸宁路28号
国籍：CN
代理机构：西安通大专利代理有限责任公司
代理人：贾玉健
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