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VDMOS器件及其制造方法

来源:小侦探旅游网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN201310256294.X (22)申请日 2013.06.25

(71)申请人 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

地址 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

(10)申请公布号 CN104253045A

(43)申请公布日 2014.12.31

(72)发明人 崔金洪

(74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人 王庆龙

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

()发明名称

VDMOS器件及其制造方法

(57)摘要

本发明提供一种VDMOS器件及其制造方

法。本发明通过两次多晶硅刻蚀把现有VDMOS器件中两个沟道区中间的多晶硅去掉,达到降低栅漏电容的目的;又通过增加N+注入,与P+阱同时推结深,达到P+阱区和N+阱区电离杂质浓度相同,达到反偏时N+阱区完全耗尽的目的,由于增加了N+注入,所以RJ和RD都会降低,提高了VDMOS器件的开启速度。

法律状态

法律状态公告日

2014-12-31 2014-12-31 2015-01-21 2015-01-21 2018-01-02

公开 公开

法律状态信息

公开 公开

法律状态

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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