(12)发明专利申请
(21)申请号 CN201310256294.X (22)申请日 2013.06.25
(71)申请人 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
地址 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层
(10)申请公布号 CN104253045A
(43)申请公布日 2014.12.31
(72)发明人 崔金洪
(74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 王庆龙
(51)Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
()发明名称
VDMOS器件及其制造方法
(57)摘要
本发明提供一种VDMOS器件及其制造方
法。本发明通过两次多晶硅刻蚀把现有VDMOS器件中两个沟道区中间的多晶硅去掉,达到降低栅漏电容的目的;又通过增加N+注入,与P+阱同时推结深,达到P+阱区和N+阱区电离杂质浓度相同,达到反偏时N+阱区完全耗尽的目的,由于增加了N+注入,所以RJ和RD都会降低,提高了VDMOS器件的开启速度。
法律状态
法律状态公告日
2014-12-31 2014-12-31 2015-01-21 2015-01-21 2018-01-02
公开 公开
法律状态信息
公开 公开
法律状态
实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回
实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回
权利要求说明书
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说明书
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