VDMOS器件及其制造方法

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（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201310256294.X （22）申请日 2013.06.25

（71）申请人北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

地址 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

（10）申请公布号 CN104253045A

（43）申请公布日 2014.12.31

（72）发明人崔金洪

（74）专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人王庆龙

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

VDMOS器件及其制造方法

（57）摘要

本发明提供一种VDMOS器件及其制造方

法。本发明通过两次多晶硅刻蚀把现有VDMOS器件中两个沟道区中间的多晶硅去掉，达到降低栅漏电容的目的；又通过增加N+注入，与P+阱同时推结深，达到P+阱区和N+阱区电离杂质浓度相同，达到反偏时N+阱区完全耗尽的目的，由于增加了N+注入，所以RJ和RD都会降低，提高了VDMOS器件的开启速度。

法律状态

法律状态公告日

2014-12-31 2014-12-31 2015-01-21 2015-01-21 2018-01-02

公开公开

法律状态信息

公开公开

法律状态

实质审查的生效实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

实质审查的生效实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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