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VDMOS分压环的制造方法

来源:小侦探旅游网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明

(21)申请号 CN201510363478.5 (22)申请日 2015.06.26

(71)申请人 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

地址 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

(10)申请公布号 CN106298538B

(43)申请公布日 2019.12.24

(72)发明人 马万里;张立荣;任春红

(74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人 娄冬梅

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

()发明名称

VDMOS分压环的制造方法

(57)摘要

本发明提供一种VDMOS分压环的制造方

法,包括:在N型外延层上形成垫氧化层,在所述垫氧化层上形成氮化硅层;通过光刻、刻蚀和P型离子注入工艺,在所述N型外延层中形成分压环;在高温炉管中对所述分压环进行驱入,同时在所述P型离子注入的区域生长出氧化层;剥除氮化硅层,并进行N型离子注入,形成JFET区。本发明提供的VDMOS分压环的制造方法,仅在P型离子注入前需要进行光刻工艺,在N型离

子注入前不需要进行额外的光刻工艺,节省了步骤,提高了VDMOS的制作效率,并且节约了成本。

法律状态

法律状态公告日

2017-01-04 2017-01-04 2017-02-01 2017-02-01 2019-12-24

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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