(12)发明专利说明
(21)申请号 CN201510363478.5 (22)申请日 2015.06.26
(71)申请人 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
地址 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层
(10)申请公布号 CN106298538B
(43)申请公布日 2019.12.24
书
(72)发明人 马万里;张立荣;任春红
(74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 娄冬梅
(51)Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
()发明名称
VDMOS分压环的制造方法
(57)摘要
本发明提供一种VDMOS分压环的制造方
法,包括:在N型外延层上形成垫氧化层,在所述垫氧化层上形成氮化硅层;通过光刻、刻蚀和P型离子注入工艺,在所述N型外延层中形成分压环;在高温炉管中对所述分压环进行驱入,同时在所述P型离子注入的区域生长出氧化层;剥除氮化硅层,并进行N型离子注入,形成JFET区。本发明提供的VDMOS分压环的制造方法,仅在P型离子注入前需要进行光刻工艺,在N型离
子注入前不需要进行额外的光刻工艺,节省了步骤,提高了VDMOS的制作效率,并且节约了成本。
法律状态
法律状态公告日
2017-01-04 2017-01-04 2017-02-01 2017-02-01 2019-12-24
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
VDMOS分压环的制造方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
VDMOS分压环的制造方法的说明书内容是....请下载后查看
因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容
Copyright © 2019- xiaozhentang.com 版权所有 湘ICP备2023022495号-4
违法及侵权请联系:TEL:199 1889 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com
本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务