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VDMOS分压环的制造方法

来源：小侦探旅游网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利说明

（21）申请号 CN201510363478.5 （22）申请日 2015.06.26

（71）申请人北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

地址 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

（10）申请公布号 CN106298538B

（43）申请公布日 2019.12.24

书

（72）发明人马万里;张立荣;任春红

（74）专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人娄冬梅

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

VDMOS分压环的制造方法

（57）摘要

本发明提供一种VDMOS分压环的制造方

法，包括：在N型外延层上形成垫氧化层，在所述垫氧化层上形成氮化硅层；通过光刻、刻蚀和P型离子注入工艺，在所述N型外延层中形成分压环；在高温炉管中对所述分压环进行驱入，同时在所述P型离子注入的区域生长出氧化层；剥除氮化硅层，并进行N型离子注入，形成JFET区。本发明提供的VDMOS分压环的制造方法，仅在P型离子注入前需要进行光刻工艺，在N型离

子注入前不需要进行额外的光刻工艺，节省了步骤，提高了VDMOS的制作效率，并且节约了成本。

法律状态

法律状态公告日

2017-01-04 2017-01-04 2017-02-01 2017-02-01 2019-12-24

法律状态信息

公开公开

实质审查的生效实质审查的生效授权

法律状态

公开公开

实质审查的生效实质审查的生效授权

权利要求说明书

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说明书

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