一种晶圆背面减薄方法

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN201310012316.8 （22）申请日 2013.01.14

（71）申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司

地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

（10）申请公布号 CN103077889B

（43）申请公布日 2016.04.13

（72）发明人 李平

（74）专利代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司

代理人 杨立

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种晶圆背面减薄方法

（57）摘要

本发明涉及一种晶圆背面减薄方法，

特别涉及一种两步式湿蚀刻的晶圆背面减薄方法，具体包括步骤一：使用强酸对晶圆背面的硅衬底进行湿蚀刻，一旦外延层露出，则停止蚀刻，强酸采用氢氟酸、硝酸、磷酸和硫酸的混合物，其对硅衬底进行湿蚀刻的速率为8-12微米/分钟；步骤二：使用选择性酸对晶圆背面的硅衬底和露出的外延层继续湿蚀刻至外延层完全露出，选择性酸采用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合物，其对硅衬底进行湿蚀刻的速率为8-12微米/分钟，而对

露出的外延层湿蚀刻速率为0.04-0.06微米/分钟。本发明通过两步湿蚀刻方法完成厚度约为2um、且厚度差异小于0.1微米的超薄且均匀晶圆的制备，成本较低，有较好的经济效益和性能，且不需要氧化层，速度更快，微粒较少。 法律状态

法律状态公告日

2013-05-01 2013-06-05 2013-08-07 2016-04-13

法律状态信息

公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 授权

法律状态

公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 授权

权利要求说明书

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说明书

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