一种高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜及其制备方法[发明专利]

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专利名称：一种高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：赵青南,曾臻,刘翔,张泽华,李渊,赵修建申请号：CN201810182729.3申请日：20180306公开号：CN108342690A公开日：20180731

摘要：本发明公开了一种高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜及其制备方法。所述透明导电薄膜采用镓掺杂氧化锌材料，所述透明导电薄膜中氧化锌的质量百分比为99～90wt.％，所述透明导电薄膜中氧化镓元素的质量百分比为1～10wt.％，所述透明导电薄膜的膜厚为40nm≤d≤100nm。该制备方法包括以下步骤：1)提供清洗后的洁净玻璃衬底；2)将玻璃衬底固定到镀膜真空室旋转基片台；真空室背底真空低于2.5×10Pa；3)采用射频磁控溅射镀膜工艺镀制薄膜。本发明中的高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜，其光学性能满足550nm可见光透射率>80％；其方块电阻R□>150kΩ/□。而且，该薄膜能够连续成膜，成膜均匀性佳，特别适用于IPS液晶显示器。

申请人：武汉理工大学

地址：430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

国籍：CN

代理机构：湖北武汉永嘉专利代理有限公司

代理人：邬丽明

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