晶硅规格参数中英文检测标准对照

来源：小侦探旅游网

单晶硅片 Monocrystalline Silicon Wafer 产品编号：YY80101 规格参数：对边距 Dimension 翘曲 Warpage 弯曲 BOW TTV TV 电阻率 Resistivity 少子寿命 Lifetime 片厚 Wafer Thickness 156±0.5mm ≤50μm ≤50μm ≤30μm ≤20μm 1-3Ω.cm ≥2μs 200±20μm 多晶硅片 Polycrystalline Silicon Wafer 产品编号：YY80201 规格参数：

对边距 Dimension 翘曲 Warpage 弯曲 BOW TTV TV 电阻率 Resistivity 少子寿命 Lifetime 片厚 Wafer Thickness 156±0.5mm ≤50μm ≤50μm ≤30μm ≤20μm 1-3Ω.cm ≥2μs 200±20μm

单晶方棒 Monocrystalline Silicon 产品编号： YY80301 规格参数：

生长方法 Crystal growth technique 掺杂剂 Dopant 晶向 Orientation 位错密度 Dislocation density 氧含量 Oxygen Concentration 碳含量 Carbon Concentration 原始晶棒直径 Diameter 直拉 Czochralski 硼 B <100>±3° ≤3000pcs/cm2 ≤1.0×1018 atoms/cm3 ≤5.0×1016 atoms/cm3 203.0～208.0 mm

多晶方锭 Polycrystalline Silicon 产品编号： YY80401 规格参数：生长方法 Crystal growth technique 掺杂剂 Dopant 平磨后对角线 Diagonal Length 方棒对边距 Dimension 氧含量 Oxygen Concentration 碳含量 Carbon Concentration 铸锭 Ingot casting 硼 B 220±0.4 mm 156±0.4 mm ≤1.0×1018 atoms/cm3 ≤5.0×1016 atoms/cm3

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文

违法及侵权请联系：TEL:199 1889 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com

本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务