一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管器件及制备方法[发明专利]

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专利名称：一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管器件及制备方法专利类型：发明专利发明人：阳平

申请号：CN201811333504.X申请日：20181109公开号：CN109244129A公开日：20190118

摘要：本申请公开了一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管器件及制备方法，包括N型基区，P型基区，多晶硅栅极，N+发射极，P+接触区，N型场终止区和P型集电极，多晶硅栅极凸出N+发射极或P+接触区表面1‑2um。制备方法，在N型基区表面形成P型基区；在P型基区表面形成N+发射极；生成二氧化硅作为阻挡层并挖沟槽形成多晶硅栅极；化学机械研磨将二氧化硅表面的多晶硅去除，研磨停止在二氧化硅阻挡层上，保留沟槽里面的多晶硅，从而使多晶硅凸出硅表面；在N+发射极中形成P+接触区；在N型基区背面形成N型场终止区；在N型场终止区背面形成P型集电极。本申请可减少N+发射极和多晶硅栅极间的垂直交叠面积，减少栅源电容，确保导通电压一致性，降低开关延迟时间。

申请人：上海擎茂微电子科技有限公司

地址：201100 上海市闵行区紫星路588号2幢1169室

国籍：CN

代理机构：上海百一领御专利代理事务所(普通合伙)

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