一种抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件[发明专利]

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专利名称：一种抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件专利类型：发明专利发明人：阳平

申请号：CN201911014906.8申请日：20191024公开号：CN110718586A公开日：20200121

摘要：本发明涉及一种抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件，包括芯片本体，芯片本体的边缘为终端保护区，芯片本体包括N型基区、P型基区、P+接触区及N+发射区、N型场终止区、P型集电极区、集电极金属层、发射极金属，芯片本体的中部包括元胞区，元胞区内设有多个元胞，芯片本体的中部还包括与元胞区隔离的闩锁测试区，闩锁测试区内设有闩锁测试模块，闩锁测试模块包括两组测试端子组件，每组测试端子组件包括位于P+接触区上方并与P+接触区连接的闩锁测试端子。本发明的抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件具有闩锁检测功能，能够防止器件由于闩锁现象造成损坏。

申请人：上海擎茂微电子科技有限公司

地址：201100 上海市闵行区紫星路588号2幢1169室

国籍：CN

代理机构：温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：汤时达

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