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聚苯胺气体分离膜研究进展

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维普资讯 http://www.cqvip.com 第26卷第4期 膜科学与技术 V01.26 No.4 Aug.2006 2006年8月 MEM_BR ANE SCIENCE AND TECHNoLOGY 文章编号:1007—8924(2006)04—0066—05 聚苯胺气体分离膜研究进展 苏小明 ,王景平2,邓 祥 ,井新利 (1.西安交通大学能源与动力工程学院化学工程系,西安710049; 2.陕西科技大学,西安710016) 摘要:介绍了聚苯胺(PANI)的结构、合成方法及其在气体分离领域的研究进展,综述了 PANI气体分离膜的制备途径、掺杂过程和掺杂剂对PANI膜气体透过性能的影响.指出了研 究中存在的问题,并对研究方向进行了预测. 关键词:聚苯胺;膜;气体分离;掺杂 中图分类号:TQ028.1;TQ028.8 文献标识码:A 根据气体分子在聚合物膜内的溶解系数和扩散 系数的不同,气体分离膜能有选择性地分离混合气 体.与传统的吸附冷冻、冷凝分离等方法相比,膜分 离气体技术具有高效、环保、节能等优点,并且具有 潜在的经济效益.截至目前,气体分离膜技术已在工 业领域取得一定的应用,如富氧技术、富氮技术以及 中亚胺氮和胺基氮摩尔比为1:1,但苯式结构与醌 式结构的摩尔比是3:1.在这三种氧化态中,只有 EB的掺杂产物,即翠绿亚胺盐(ES)具有导电性能, 其余各态都不具有导电性能[4, . NH N N 二氧化碳、氢气、有机蒸气等的回收.共轭聚合物膜 具有良好的结构可控性,即通过对共轭聚合物膜的 掺杂处理,在分子水平上对膜的结构进行修饰,从而 赋予和提高膜对气体的分离性能 j.在常见共轭聚 合物(如聚吡咯、聚噻吩、聚对苯撑乙烯、聚苯胺 (PANI)以及它们的衍生物等)中,PANI因其合成 简单、价格低廉、结构多样、环境稳定性好等优点广 受研究人员的关注,在诸多领域都有着潜在的应用, 如导电、腐蚀防护l 、电磁干扰屏蔽【引、气体分离等 领域.本文就PANI的气体分离研究,尤其是其最新 进展作以综述. 图1 PANI结构式 Fig.1 Constitutional formula of polyaniline 2 PANI合成 通常用化学或电化学聚合的方法制得EB.实验 发现,PANI的结构和物理化学性能强烈地依赖于 合成方法和条件.化学法包括缩聚和氧化聚合两种, 前者用于合成结构明确的目标或模型聚合物,在确 定PANI及其衍生物的结构方面有重要意义,后者 则是大批量合成PANI的最可行的路线.用于制备 膜材料的PANI合成一般采用化学氧化聚合法. 2.1化学氧化聚合机理 1 PANI的结构 PANI的分子结构(图1)因其氧化态不同而存 在三种形式,即全还原态、中问氧化态和全氧化态. 全还原态( =1)PANI通过胺基氮将苯环连接在一 起;全氧化态PANI中,苯式结构与醌式结构由亚胺 苯胺(ANI)的化学氧化聚合过程可以划分为引 发、增长和终止三个阶段.在引发阶段,中性的ANI 被氧化和脱质子化形成nitreniurn正离子 ( H5NH ),亲电的nitrenium正离子进攻另一个 氮相连接,且摩尔比为1:1;中间氧化态聚苯胺(EB) AN1分子形成二聚体——对氨基二苯胺.对氨基二 收稿日期:2004—11—251修改稿收到日期:2005—03—25 基金项目:陕西省科技攻关项目(2003K07一GIO) 作者简介:苏小明(1980一),男,甘肃金昌人,硕士生,从事气体分离用高分子材料研究.*通讯联系人 维普资讯 http://www.cqvip.com 第4期 苏小明等:聚苯胺气体分离膜研究进展 ・67・ 苯胺的电化学位比ANI低得多,因此立即被氧化为 其氧化形式PBQ: 、 、 NH. 采用过硫酸铵(APS)为氧化剂时,ANI被氧化 为PBQ的过程在酸性、中性和碱性介质中均可发 生.随pH值增加,引起脱质子化,ANI氧化的电化 学位必然降低.由于ANI氧化的电化学位按50 ̄60 mV/pH的比率降低,所以PBQ的形成速率必然也 随介质的pH值的增加而增加.因此,ANI氧化聚合 的引发在中性和碱性条件下更易发生,而不是在酸 性介质中. o H [o H 一。 H 】 蚤 } 图2链引发 Fig.2 Chain initiation 链增长是通过增长链(作为氧化剂)和ANI(作 为还原剂)之间的氧化还原过程,把单体加成到链末 端进行的.二聚体形成以后,氧化剂更倾向于氧化二 聚体、三聚体、四聚体、聚合物,而单体更倾向于加成 到链上,而不是形成新的活性点. ANI的氧化聚合通过一系列连续的氧化和还 原步骤进行.当聚合物链的氧化态高于中间氧化态 时,氧化步骤可以发生在整个pH范围内.由于聚合 物链的电化学位随质子化而降低,所以酸性介质中 的氧化速率低于中性和碱性介质.而还原步骤(ANI 对增长链的加成)只能发生在酸性介质中,在pH≈0 时,可以达到最高程度的还原.作为增长链与ANI 之间的氧化还原过程的PANI链增长过程,在它们 之间的氧化电位未达到平衡时,反应仍将进行.若增 长链的电化学位未高到使还原(ANI的加成)进行, 又未低到使氧化发生时,该条件下的平衡就达到了, 从而发生链终止.链终止是相应于链增长的氧化还 原过程中热力学平衡建立的结果[ ,71. 2.2化学氧化聚合方法 化学氧化聚合法制备PANI的过程主要涉及到 3种化学试剂:ANI、酸性介质和氧化剂. 通常用到的酸性介质有盐酸和硫酸,氧化剂有 APS、重铬酸钾(K2Cr207),硫酸铈(Ce(SO4)2),钒酸 钠(NaVO3),氯酸钾(KClO3),铁氰化钾(K3(Fe (CN)6)),碘酸钾(KIO3),过氧化氢(H2o2)等l8'9J. 一般ANI在盐酸溶液中发生化学氧化聚合 (HCl与ANI的摩尔比为1~4),得到掺杂的中间氧 化态PANI,体系的酸浓度也由掺杂剂控制,无需添 加其它酸,浓度控制在0.1~1 m0l/L[10].APS是最 常用的氧化剂,与ANI的摩尔比一般为0.5~1.2. 考虑到掺杂反应过程,聚合反应时间不能太短,应至 少大于8 h,一般12~24 h,反应温度0~30℃.将聚 合物浸入碱性介质脱去质子,然后依次用蒸馏水和 有机溶剂如丙酮等洗涤、过滤,以除去无机盐、未反 应的单体和低聚物(聚合度 <8)等,如此需反复几 次.最后把聚合物在真空环境烘干,即得到EB粉 末[u—l 31. 3 PANI膜制备 3.1 PANI自支撑膜 溶液浇铸法是制备高密度、非多孔聚合物膜的 通用方法.典型过程如下:将细的EB溶于N一甲基 吡咯烷酮(NMP),得到质量分数为5%~10%的EB 的分散溶液,过滤该分散液,将所得滤液在光滑的玻 璃板上均匀地涂开,在120℃通人N,保护蒸去溶 剂,得到厚度为10~100 tLm的PANI膜.冷却后,将 其浸入冷水中,即可将膜从培养皿中揭下,得到 PANI自支撑膜l14,l5 J. PANI自支撑膜制备工艺简单,但其机械性能 较差,气体渗透性能很低.经过掺杂、脱掺杂、再掺杂 过程,可以显著改变自支撑膜的气体选择分离性,其 中再掺杂态PANI膜具有最佳的气体分离能力H , 但掺杂过程对PANI自支撑膜的气体渗透性能的提 高有限,见表1.制备超薄膜虽然能提高气体渗透能 力,但无支撑超薄膜的应用又受到PANI膜机械性 能差的限制.因此,必须提高PANI自支撑膜的机械 表1不同盐酸掺杂态聚苯胺膜对02透气性能的影响 Table 1 Comparison of02 permeability and selectivity data according to doping degree 注:a数据不可测;渗透系数单位为Barrel" 维普资讯 http://www.cqvip.com ・68・ 膜科学与技术 第26卷 性能,以提高其耐用性和稳定性. 3.2 PANI复合膜 支撑膜相当,见表2 制备PANI复合膜,即在具有高渗透性和机械 性能的膜材料上复合一层PANI膜,能较好地解决 PANI自支撑膜机械性能差问题.ANI的边缘氧化 聚合是Orlov等 8_新近开发的一种直接制备PANI 复合膜的方法,通过边缘氧化聚合,在具有高渗透性 的聚三甲基乙烯基硅烷膜表面形成了一层PANI 膜.研究表明,该PANI膜层具有很强的均一性和黏 附性,膜形态和化学结构上都不同于溶液浇铸得到 的PANI膜.PANI主链中不存在具有缺陷的重复 单元,具有致密、规整的结构.复合膜的气体渗透性 比溶液浇铸得到的PANI膜高出两个数量级,对 02,/N2,co2/CH4的选择分离性也优于PANI自支 撑膜,其中未掺杂复合膜的02 2,CO2/CH4分离 系数可分别达到8.2和26.8,表现出优异的气体分 离性能,Lee等r19]通过“溶剂焊接”制得了以多孔尼 龙薄膜为支撑体的PANI复合膜.首先通过溶液浇 铸得到PANI膜,并真空干燥除去溶剂,然后将 /水混合溶剂浸泡过的尼龙薄膜附在PANI膜表 面,于60℃真空干燥,因为水分先蒸发,所以NMP的 浓度逐渐升高,PANt薄膜和尼龙之间的NMP会部 分溶解两膜中间一侧的PANI膜表面.水分完全蒸干 后,尼龙薄膜就“焊接”在了PANI膜的表面,未掺杂 复合膜的气体渗透能力比溶液浇铸PANI膜高出约4 倍 ,再掺杂后,02/N2的选择分离系数与渗透系数 可分别达到28和0.10 barrer,其02 的选择分离 系数已接近文献报道最高值30c 16]. 聚乙烯的微滤膜也可以作为PANI膜的支撑 体.Elyashevich等[20]将PANI沉积到聚乙烯微滤膜 的表面,制得比PANI自支撑膜更结实耐用的复合 膜,是一种很有潜在价值的气体分离膜材料. 3.3 PANI共混膜 制备共混PANI膜是开发具有较高气体渗透性 和选择性的膜材料的新途径.Su等 在NMP中缩 合得到聚胺酸前驱体,随后将质量分数为10%化学 氧化法制得的PANI溶液与适量的聚胺酸前驱体的 NMP溶液混合,溶液浇铸后蒸去溶剂得到PANI/ 聚酰亚胺共混膜,如图3所示.其中,50/50(体积比) 的PANI僳酰亚胺共混膜的气体渗透性优于未掺 杂的自支撑PANI膜,高于或接近于纯聚酰亚胺膜, 而共混膜的气体选择分离性能则与未掺杂PANI自 点线代表两种聚合物问的氢键作用 图3 PANI/聚酰亚胺共混结构示意图 F .3 Sch日嘲6c ̄tation 0f yan出ne yamide blend 表2聚酰亚胺、聚苯胺及共混膜的气体分离因子 Table 2 Separation factors for selected gases though polyimide,polyaniline and a 50/50 blend 气体聚酰亚胺50/50共混膜自支撑聚苯胺膜(未掺杂) 4 掺杂对PANI膜气体透过性能的影响 PANI膜的气体渗透性强烈地依赖于掺杂一脱 掺杂一再掺杂处理过程.通过引入掺杂剂,PANI膜 内的分子链间距可以调整到0.372~0.484 nln,与 02,N2,CH4等气体分子的动力学直径相当r ,大 分子气体被阻滞,而小分子气体得以通过.掺杂通常 降低了气体的渗透性,掺杂剂阴离子的类型对气体 渗透性的影响并不明显,增大阴离子尺寸只能轻微 的提高气体的渗透性,对气体选择性的改善则微乎 其微L2引.脱掺杂可以提高气体渗透性,但膜的气体 选择性却降低了.经过再掺杂,气体选择透过性明显 提高,气体渗透性会有所下降. 4.1掺杂原理 不同于其它有机膜材料,共轭聚合物膜可以通过 掺杂/脱掺杂显著地改善气体在膜内的透过性.其中, PANI膜最为典型,即掺杂可以在PANI膜中均一地引 入负离子,实现在分子水平上对膜结构的修饰[24]. PANI不仅可以通过氧化还原作用掺杂,也可 以通过质子酸掺杂.典型的质子酸掺杂过程如图4 所示.本征态聚苯胺分子链(图4a)在质子化后首先 得到图4b所示结构,质子酸阴离子与PAN1分子链 上的亚胺氮结合,电荷以双极化子的形式存在.随后 电荷重新分布,双极化子分裂成为两个极化子,这可 以认为是一个分子内的氧化还原过程(图4b--- ̄4c), 维普资讯 http://www.cqvip.com 第4期 苏小明等:聚苯胺气体分离膜研究进展 ・69・ \ / H \ NH— [=<\/ /一 l 'U +2 ̄- /^一  ^一 b \====/\==/I\;==/\===/ — H ~。 \===/\===/\===/\===/ 图4 PANI的酸掺杂 Fig.4 Acid—base doping of polyaniline 聚合物主链呈现半醌自由基结构(图4c).总之,掺 杂涉及到共轭聚合物上兀键电荷的转移,o键并未 受影响,因此PAN1分子链结构并未发生变化,但聚 合物的振动性、导电性、超分子结构及其它性质都会 由于掺杂而发生很大改变[25 J. 4.2掺杂过程的影响 PANI气体分离膜属于非多孔膜,气体通过非 多孔膜的流动属于溶解一扩散机理.Anderson等【 J 通过气体在经过掺杂一脱掺杂一再掺杂处理的 PANI膜中的透过行为的研究,提出了掺杂剂对 PANI膜气体透过性能影响的自由体积模型.在本 征态PANI膜中,假设其自由体积在膜内部形成了 许多自由通道,并且相邻的两条通道之间有一些更 小的通道联结,但这些通道只允许小分子气体较快 地通过,而较大的气体分子通过的速度较慢,因此本 征态PANI膜具有中等的渗透系数和分离系数.当 本征态膜经质子酸掺杂后,H 与PAN1分子链中亚 胺上的氮原子结合的同时,其溶剂化的反离子也伴 随于其附近,且这种反离子尺寸较大,从而导致膜内 自由体积变大.但此时由于掺杂剂的存在,使一部分 自由体积被占据,阻碍了气体分子在膜内的迁移,所 以掺杂膜对气体的渗透系数较小. PANI膜经过脱掺杂后,质子及其溶剂化的负 离子可以被完全除去.由于不存在使分子链恢复原 状的驱动力,因此膜的总的自由体积较本征态时有 所增大,膜的气体渗透能力提高,但对气体的选择分 离性能却降低了.通过二次掺杂引入少量掺杂剂后, 掺杂剂重新占据了部分扩大的自由体积,使得大尺 寸气体通道数量减少,导致小分子气体的渗透能力 变化不大,而大分子气体的渗透能力却下降较大.因 此可以通过控制二次掺杂时的掺杂剂的用量,以达 到PANI膜对各种气体的最佳分离性能. 4.3掺杂剂的影响 PANI气体分离膜掺杂酸主要有氢卤酸、硫酸、 功能质子磺酸,功能质子磺酸包括对甲基苯磺酸、甲 基磺酸、聚乙烯磺酸、聚异戊二烯磺酸、聚乙烯磺酸 盐、十二烷基苯磺酸等[11,13,14,17,19,2 .各种掺杂酸 因分子的大小、结构、酸性等不同,对PANI膜结构 的影响不尽相同,所得膜的气体渗透及选择分离性 能也各不相同. Anderson等_l 6_研究了氢卤酸掺杂PANI膜的 气体分离性能,并得到了很高的气体分离系数.通过 对氢卤酸掺杂PANI导气机理的研究,发现掺杂剂 的尺寸对共轭聚合物的膜形态有很大的影响,气体 渗透能力随溶剂化卤离子尺寸的增大而降低. Haehisuka等[27]通过低分子量掺杂剂(盐酸、甲 基磺酸)和聚合物掺杂剂(聚乙烯磺酸、聚异戊二烯 磺酸、聚乙烯磺酸盐)对PANI膜气体选择性和渗透 性影响的研究发现,膜分离性能由于掺杂剂阴离子 结构及大小不同而略有差异,除聚乙烯磺酸掺杂 PANI膜COz/CH4体系的分离系数达到2.2×10 外,其它几种掺杂PANI膜的分离系数都在10 量 级,相差不大.此外,0rlov等【18]也得出了掺杂剂阴 离子结构及大小对膜分离性能影响不大的结论. 5 结束语 PANI膜具有很高的气体分离性能,是一种很 有应用前景的气体分离膜材料.与普通高分子气体 分离膜材料的复合,可有效提高PANI膜的机械性 能.通过掺杂剂的选择和掺杂过程的优化,可从分子 水平上改善PANI膜的结构,提高PANI膜的气体分 离性能,但该途径对气体分离性能的提高有限.鉴于 目前报道的PANI膜的厚度均在微米级或者以上,因 此,对纳米厚度的PANI膜材料及其支撑材料的制备 和研究,将不失为一个具有实际意义的研究方向. 参考文献 [1]Kaner R B.Gas—liquid and enantiomeric separations using polyaniline[J].Synthetic Metals,2002,125:65—71. [2]井新利,王杨勇,强军锋.本征态聚苯胺的防腐性能[J]. 中国腐蚀与防护学报,2004,24(5):301—305. [3]王杨勇,张柏宇,王静平.本征型导电高分子电磁干扰 屏蔽材料研究进展[J].兵器材料科学与工程,2004,27 (3):54—6O. [4]MacDiarmid A G,Chiang J C.Polyaniline:a new concept in ocnductign polymer ̄[J].Synthetic Metals,1986,18: 285—290. 维普资讯 http://www.cqvip.com ・70・ 膜科学与技术 第26卷 [5]Tan S,Laforgue A,t ̄langer D.Characterization of a cation—exchange/polyaniline composite m ̄brane[J]. 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