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具有纳米线CHEMFET传感器的集成电路、感测设备、测量方法及制造方

来源：小侦探旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：具有纳米线CHEMFET传感器的集成电路、感测设

备、测量方法及制造方法

专利类型：发明专利

发明人：J·H·克鲁特维杰克,M·梅舍,M·E·阿拉康-里维

罗,N·M·A·德怀尔德

申请号：CN2013800531.0申请日：20131007公开号：CN104781658A公开日：20150715

摘要：一种集成电路(100)，其包括半导体衬底(110)；所述衬底之上的绝缘层(120)；所述绝缘层上的第一晶体管(140)，所述第一晶体管包括在源极区域(142a，142b)与漏极区域(144)之间暴露的沟道区域(146)；以及与半导体衬底电耦合的电压波形发生器(150)，用于在信号获取周期期间向第一晶体管提供偏置电压，其中，该电压波形发生器被布置以产生包括周期性增加的幅值的交替的偏置电压波形(300)。本发明公开了包括这类集成电路的感测设备以及使用这类集成电路的感测方法。

申请人：皇家飞利浦有限公司

地址：荷兰艾恩德霍芬市

国籍：NL

代理机构：北京市金杜律师事务所

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