专利名称：晶圆测试结构专利类型：实用新型专利发明人：郭玉洁,吕杨
申请号：CN201720384979.6申请日：20170413公开号：CN206697478U公开日：20171201
摘要：一种晶圆测试结构，包括：衬底，掺杂有第一类型的离子；第一栅极，掺杂有第一类型的离子；离子注入层，掺杂有第二类型的离子，第二类型的离子与第一类型的离子掺杂类型相反，离子注入层位于衬底和第一栅极之间；源极、漏极，位于离子注入层中，衬底、源极和第一栅极连接低电平，漏极连接高电平。
申请人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
国籍：CN
代理机构：上海立群专利代理事务所(普通合伙)
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