专利名称：一种官能化的中空二氧化硅微球及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：袁俊杰,浦鸿汀,杨正龙,滕新荣申请号：CN200810037851.8申请日：20080522公开号：CN1012190A公开日：20081022
摘要：本发明属于复合材料和功能材料技术领域，具体为一种官能化的中空二氧化硅微球及其制备方法。该官能化中空二氧化硅微球是利用带有正电荷的聚苯乙烯微球为模板，利用碱作为刻蚀剂和催化剂，使硅烷偶联剂在聚苯乙烯微球表面缩合水解，同时聚苯乙烯微球本身被刻蚀掉后形成。由本发明制得各种官能基团官能化的中空二氧化硅微球密度小、比表面积大、带有特殊官能团，可以用于吸附重金属、质子交换膜导电率改性剂、功能填料、功能材料载体。
申请人：同济大学
地址：200092 上海市四平路1239号
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
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