专利名称：两步烧结工艺制备IGZO陶瓷靶材的方法专利类型：发明专利
发明人：刘洋,孙本双,舒永春,曾学云,朱锦鹏申请号：CN201910351001.3申请日：20190428公开号：CN110002853A公开日：20190712
摘要：本发明公开了一种两步烧结工艺制备IGZO靶材的方法，包括：按比例定量InO、GaO和ZnO三种氧化物粉体，与去离子水、稀释剂和粘结剂混合，制备成高固含量的IGZO浆料；IGZO浆料成型为IGZO陶瓷生坯体；IGZO陶瓷生坯体在温度600～800℃下脱脂；将脱脂后的IGZO陶瓷生坯体升温至第一步烧结温度1400～1500℃，然后，降温至第二步烧结温度1320～1360℃，在第二步烧结温度下保温8～14小时。模具简单，工艺操作简便，便于制备各种尺寸的靶材，生坯烧结性好，能够制备高密度、低电阻率、晶粒细小的IGZO陶瓷靶材，相对密度可达99.5％，电阻率低至1.59mΩ·cm，晶粒尺寸低至4.78μm，降低的烧结温度可以相应的降低生产成本，延长设备使用寿命，适用于工业化生产。
申请人：郑州大学
地址：450001 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号
国籍：CN
代理机构：北京卫智畅科专利代理事务所(普通合伙)
代理人：朱春野
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