专利名称：一种半模基片集成波导双带滤波器专利类型：实用新型专利发明人：张中华,夏铭,熊荆申请号：CN202020757572.5申请日：20200510公开号：CN212257633U公开日：20201229
摘要：本实用新型公开了一种互补开口谐振环和U槽结构的半模基片集成波导双带滤波器。其关键在于：所述的双带滤波器包含介质基片，介质基片上有顶层金属层、底层接地金属层、开路支线结构，顶层金属层刻蚀互补开口谐振环、U槽和电容谐振器结构，底层接地金属贴片刻蚀互补开口谐振环和U槽构成缺陷地结构，缺陷地结构与开路支线中心位于一条直线，顶层金属贴片通过一排金属化通孔穿过介质基片与底层接地金属贴片相连，渐变阻抗匹配单元，输入、出微带馈电线。本用新型以互补开口谐振环和U槽结构产生通带，引入电容谐振器结构增强3dB带宽，利用开路支线与缺陷地结构的传输特性及耦合产生通带，两个通带相互独立，两者级联增强通带的选择性。
申请人：重庆安全技术职业学院
地址：404020 重庆市万州区百安坝安庆路583号(重庆安全技术职业学院)
国籍：CN
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