一种嵌入式SiGe结构及其制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种嵌入式SiGe结构及其制备方法专利类型：发明专利发明人：张鹏

申请号：CN2020102124.2申请日：20200324公开号：CN111403483A公开日：20200710

摘要：本发明提供一种嵌入式SiGe结构及其制备方法，提供基底，在基底上形成阱；在阱上制作栅极绝缘层并在栅极绝缘层上淀积多晶硅；刻蚀多晶硅形成栅极；在栅极侧壁形成第一侧墙；在阱的所述栅极两侧形成SiGe结构的沟槽；在沟槽中淀积构成SiGe结构的种子层；接着在种子层上生长构成SiGe结构的体层，在体层上形成盖帽层；在体层和盖帽层之间掺入碳原子，形成位于体层和盖帽层之间的含碳阻挡层。本发明通过优化SiGe结构的生长工艺，在体层和盖帽层生长层之间掺入碳原子，形成生成SiGeC层，可以有效抑制硼原子向体层、以及沟道中扩散，减小器件的漏电流并抑制器件的短沟道效应。本发明可以很好兼容现有的器件的制作工艺，为解决PMOS漏电及短沟道效应提供了可行性方法。

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

地址：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

国籍：CN

代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：戴广志

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