厚多晶电阻的饱和掺杂工艺[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：厚多晶电阻的饱和掺杂工艺专利类型：发明专利

发明人：高向东,唐剑平,张明,吴晓鸫申请号：CN2010107290.3申请日：20101116公开号：CN102097299A公开日：20110615

摘要：本发明涉及一种厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，衬底上设置有相应氧化物结构；b、在上述衬底的氧化物结构上淀积多晶电阻材料，淀积多晶电阻材料时，根据所需多晶的厚度，将所述上述多晶电阻材料均分多次淀积；c、在上述衬底上形成所需厚度的多晶电阻后，在多晶电阻内进行含磷气体掺杂；d、去除上述多晶电阻上形成的PSG。本发明根据厚多晶电阻的厚度要求，采用多次均匀淀积的方式得到所需厚度的厚多晶电阻，可以减轻炉内副产物的堆积和对泵等硬件的损耗，提高生产稳定性，所有步骤都参照常规工艺，操作简单；多晶掺杂采用饱和掺杂使杂质在晶粒间和晶粒间隙同时扩散，并且分布均匀，片内片间及稳定性都达到生产要求。

申请人：无锡中微晶园电子有限公司

地址：214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室

国籍：CN

代理机构：无锡市大为专利商标事务所

代理人：曹祖良

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